[發明專利]一種智能卡SIM模塊的生產方法

有效

• 申請號: 201210377172.1
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103715112A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 陳澤平
• 申請（專利權）人: 中山市漢仁電子有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張海文

技術領域

本發明涉及智能SIM卡的生產工藝，特別涉及一種智能卡SIM模塊的生產方法。

背景技術

目前,智能SIM卡廣泛應用于手機、安防、用戶識別等領域，特別在移動通信領域中被廣泛所應用，隨著通信領域的不斷發展，智能SIM卡被賦予了更多的功能，更大的容量及更小的體積，而這需要更加精確的工藝及生產方法。

智能SIM卡通常由接觸金屬片和集成芯片構成，其中傳統的智能卡模塊制作都是采用導線焊接的方式實現。眾所周知的是，半導體晶片切割后所得到的集成電路芯片其具有芯片連接點的正面都是向外露出的，假若不經過處理，當這些集成電路芯片被吸合傳送并安裝到基板上時必然也是正面向外露出的。由于芯片連接點都位于正面上，因此要使得其與基板上的焊點電氣連接，那么這是必要需要利用導線焊接的方式實現，即通過導線將正面上的芯片連接點和基板上的焊點連接起來，參照圖1所示。這種導線焊接的方式具有以下的缺點：（1）貼裝所占用的物理尺寸較大，特別是由于導線焊接不能交叉或下射，因此無法實現物理尺寸非常小的模塊產品，如在制作智能卡模塊時，利用此方式實現所得到的智能卡模塊產品的物理尺寸通常較大；（2）制作成本高，由于連接導線一般都是采用黃金材料，此導線連接的方式需要使用一從芯片連接點到基板上的較長接線，此導線需要花費較多量的黃金進行制作，因而會導致成本升高；（3）連接不可靠，當此導線折斷或掉落時芯片便不能正常工作。

為了克服上述部分缺點，現出現了一種Flip-Chip的芯片貼裝工藝，該工藝在將集成電路芯片吸合傳送到基板上設有將該單個芯片翻轉的動作，使得芯片安裝到基板上時可以正面與基板貼合，芯片和焊點上直接通過凸點電氣連接。這種貼裝方法可以大大減小貼裝所占用的物理尺寸，減輕制作成本，但由于此工藝在翻轉芯片時是針對單個芯片進行的，在實現時一般通過雙機械臂進行傳遞和操作，因此這種貼裝方法存在效率低下、控制復雜的缺點。

專利號為200710142260.2的中國專利公開了“用于IC封裝的組合倒置”發明專利，該專利中公開了一種針對普通集成電路的倒裝貼片封裝工藝：（1）首先在半導體晶片上形成用于連接襯底的焊料凸點，（2）安裝并粘合帶有凸點晶片的背面到第一可釋放帶，（3）切割芯片完成獨立管芯，（4）倒置切割的管芯和第一帶，（5）粘合第二帶到管芯的有源表面，（6）釋放和去除第一可釋放帶，（7）從第二釋放帶釋放并去除管芯。該專利倒置第一釋放帶及將管芯的有源表面放置在第二釋放帶上，通過第一釋放帶和第二釋放帶將芯片整體批量倒置，再通過普通的拾取倒置后的芯片實現IC的封裝，解決了通過雙機械臂進行傳遞和操作、只可以單個芯片進行翻轉的缺點。但是該專利需要先在半導體晶片上形成用于連接襯底的焊料凸點，然后再對晶片進行切割，由于在形成焊料凸點時，若晶片已經切割完成，通過機械往管芯上點上焊料凸點的時候容易使半導體芯片間的相對位置發生變化，而且會使第一釋放帶出現變形、皺褶的情況，導致翻轉后管芯的排列錯亂，在進行拾取的時候容易出錯，導致生產焊接的精度不高，因此現有的技術只能先形成焊料凸點再進行切割，而且為了在形成焊料凸點時為了防止整盤半導體芯片移動，通常使用抽真空的方式使半導體晶片固定在底座上，但由于切割后的智能卡SIM半導體晶片體積很少，若切割后再形成焊料凸點，在抽真空的狀態下反而會讓成顆的半導體芯片被吸往導槽中，從而讓第一釋放帶出現更加嚴重的變形、皺褶的情況，參照圖2所示，因此，在生產時形成焊料凸點和切割晶片需要同時進行。

而在智能SIM卡生產領域中，隨著生產加工的不斷細分，為了節省生產成本，可通過購買整盤的SIM半導體芯片進行加工，但是由于需要在點上焊料凸點后再進行切割，因此還需要購買一套切割的生產設備，而且切割其精度不及SIM半導體芯片廠家搞，若可以在切割芯片后再形成焊料凸點，則直接購買切割好的晶片進行加工，可大大降低生產成本，節省社會資源，有助于推廣新型的智能卡微處理芯片。

發明內容

為解決上述問題，本發明的目的在于提供可批量進行翻轉、能在晶片切割后再印上導電凸點的一種智能卡SIM模塊的生產方法。

本發明解決其問題所采用的技術方案是：

一種智能卡SIM模塊的生產方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）準備已經由半導體晶片切割分解而成的整盤SIM半導體芯片，所述半導體芯片的背面粘合于安裝粘性膠帶的表面，所述安裝粘性膠帶的厚度為80μm至120μm，半導體芯片上設有的芯片連接點正面向上露出。