[發明專利]抗干擾與過壓、過流保護片式元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210376492.5
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102915816A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 張振勇;鄧佩佳;林海
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: H01C1/16
• 分類號: H01C1/16;H01C1/142;H01C7/12;H01C7/13;H01C17/30
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及一種片式電氣元件，特別是涉及一種抗干擾與過壓、過流保護片式元件及其制造方法。

背景技術

小型永磁直流馬達，特別是帶電刷的馬達，在正常運行過程中會對所在環境產生的電磁干擾，產生大量的電氣噪聲。電氣噪聲干擾沿著電纜以干擾電壓的形式傳播，耦合到電源電路和其他功能電路網絡，從而影響電網的供電質量和周圍的電磁環境。

為限制馬達的這種通過電源線傳導到電網或通過電源線向外傳導的干擾，滿足電磁兼容標準的要求，必須對這些傳導的電氣噪聲進行處理。常見的解決方法是在傳輸途徑上加裝濾波組件。常用的濾波組件有電容、電感、鐵氧體磁環等。加裝濾波組件能減輕電源電路網絡免受馬達內部噪聲的污染。

但是，選用濾波組件，存在分立的電容電感元件使用數量多，成本高，安裝所占空間大的缺點。而且很難選擇到合適齊全的配套濾波元件。

同時，馬達在實際使用中，控制回路的短路保護往往被忽視。在實際使用中，有的馬達采用單只熔斷器進行保護，有的甚至不安裝熔斷器，這將嚴重影響馬達的安全。當出現馬達負荷過大或卡堵不轉造成電源回路電流過大時，就會造成損壞控制電路、產生起火的情況。

發明內容

基于此，有必要提供一種抗干擾與過壓、過流保護片式元件及其制造方法。該抗干擾與過壓、過流保護片式元件使用在馬達上時能夠減輕馬達對其它電路的干擾，并具有過壓與過流保護的功能，具有小型化、多功能的優點。

一種抗干擾與過壓、過流保護片式元件，包括鈦酸鍶陶瓷基片、分別形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片正表面與反表面的正面電極與背面電極、形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片正表面的熔斷體金屬層、形成于所述熔斷體金屬層上的保護層及形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片的四個側面的端頭電極，所述正面電極的數量至少為四個，分別為第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極及第四正面電極，所述鈦酸鍶陶瓷基片的其中兩個相對的側面各設有至少兩個端頭電極，分別為第一端頭電極與第二端頭電極、第三端頭電極與第四端頭電極，鈦酸鍶陶瓷基片的另外兩個側面中至少一個側面的端頭電極與背面電極相連，所述熔斷體金屬層包括相互電絕緣的第一熔斷體金屬層與第二熔斷體金屬層，所述第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極及第四正面電極分別與所述第一端頭電極、第二端頭電極、第三端頭電極及第四端頭電極相連，所述第一正面電極與第三正面電極通過第一熔斷體金屬層相連，第二正面電極與第四正面電極通過第二熔斷體金屬層相連。

在其中一個實施例中，所述正面電極包括設于所述鈦酸鍶陶瓷基片上的第一層正面電極與設于所述第一層正面電極上的第二層正面電極。

在其中一個實施例中，所述鈦酸鍶陶瓷基片的配方按質量分數包括以下組分：30~55%的TiO₂、16~32%的SrCO₃、12~20%的BaCO₃、16~20%的CaCO₃、0.3~0.5%的CuO、0.1~0.5%的Nb₂O₅、0.1~0.2%的La₂O₃、0.3~1.0%的MnCO₃。

在其中一個實施例中，所述第一層正面電極的配方按質量百分比包括以下組分：25~35%的分子銀、15~22%的錫粉、8~12%的鋅粉、8~12%的玻璃粉、10~14%的樹脂以及16~25%的混合溶劑，所述混合溶劑由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按質量比例1:1:1混合而成。

在其中一個實施例中，所述第二層正面電極、背面電極及端頭電極的配方按質量百分比包括以下組分：50~69%的銀片、18~26%的銀粉、0.5~1.5%的玻璃粉、1.5~2.5%的樹脂以及10~20%的混合溶劑，所述混合溶劑由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按質量比例1:1:1混合而成。

在其中一個實施例中，所述熔斷體金屬層的配方按質量百分比包括以下組分：50~65%的銀粉、5~10%的氧化銀和二氧化釕混合物、0~10%的鈀金屬粉、0～5%的鉑金屬粉、1~5%的玻璃粉、10~18%的乙基纖維素、15~25%的松油醇溶劑，其中所述氧化銀和二氧化釕混合物中氧化銀和二氧化釕的質量比例為10比1。

在其中一個實施例中，所述熔斷體金屬層的厚度為5.9~6.1微米，寬度為1.1~1.3毫米。

在其中一個實施例中，所述保護層的配方按質量百分比包括以下組分：50~70%的氧化鉍、12~20%的氧化硼、5~10%的氧化鋅、5~10%的氧化硅、2~10%的氧化鈦。