[發明專利]抗干擾與過壓、過流保護片式元件及其制造方法有效
| 申請號: | 201210376492.5 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102915816A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 張振勇;鄧佩佳;林海 | 申請(專利權)人: | 廣東風華高新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01C1/16 | 分類號: | H01C1/16;H01C1/142;H01C7/12;H01C7/13;H01C17/30 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 526020 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗干擾 保護 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,包括鈦酸鍶陶瓷基片、分別形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片正表面與反表面的正面電極與背面電極、形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片正表面的熔斷體金屬層、形成于所述熔斷體金屬層上的保護層及形成于所述鈦酸鍶陶瓷基片的四個側面的端頭電極,
所述正面電極的數量至少為四個,分別為第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極及第四正面電極,所述鈦酸鍶陶瓷基片的其中兩個相對的側面各設有至少兩個端頭電極,分別為第一端頭電極與第二端頭電極、第三端頭電極與第四端頭電極,鈦酸鍶陶瓷基片的另外兩個側面中至少一個側面的端頭電極與背面電極相連,所述熔斷體金屬層包括相互電絕緣的第一熔斷體金屬層與第二熔斷體金屬層,
所述第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極及第四正面電極分別與所述第一端頭電極、第二端頭電極、第三端頭電極及第四端頭電極相連,所述第一正面電極與第三正面電極通過第一熔斷體金屬層相連,第二正面電極與第四正面電極通過第二熔斷體金屬層相連。
2.根據權利要求1所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述正面電極包括設于所述鈦酸鍶陶瓷基片上的第一層正面電極與設于所述第一層正面電極上的第二層正面電極。
3.根據權利要求1或2所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述鈦酸鍶陶瓷基片的配方按質量分數包括以下組分:30~55%的TiO2、16~32%的SrCO3、12~20%的BaCO3、16~20%的CaCO3、0.3~0.5%的CuO、0.1~0.5%的Nb2O5、0.1~0.2%的La2O3、0.3~1.0%的MnCO3。
4.根據權利要求2所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述第一層正面電極的配方按質量百分比包括以下組分:25~35%的分子銀、15~22%的錫粉、8~12%的鋅粉、8~12%的玻璃粉、10~14%的樹脂以及16~25%的混合溶劑,所述混合溶劑由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按質量比例1:1:1混合而成。
5.根據權利要求2所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述第二層正面電極、背面電極及端頭電極的配方按質量百分比包括以下組分:50~69%的銀片、18~26%的銀粉、0.5~1.5%的玻璃粉、1.5~2.5%的樹脂以及10~20%的混合溶劑,所述混合溶劑由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按質量比例1:1:1混合而成。
6.根據權利要求1或2所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述熔斷體金屬層的配方按質量百分比包括以下組分:50~65%的銀粉、5~10%的氧化銀和二氧化釕混合物、0~10%的鈀金屬粉、0~5%的鉑金屬粉、1~5%的玻璃粉、10~18%的乙基纖維素、15~25%的松油醇溶劑,其中所述氧化銀和二氧化釕混合物中氧化銀和二氧化釕的質量比例為10比1。
7.根據權利要求6所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述熔斷體金屬層的厚度為5.9~6.1微米,寬度為1.1~1.3毫米。
8.根據權利要求1或2所述的抗干擾與過壓、過流保護片式元件,其特征在于,所述保護層的配方按質量百分比包括以下組分:50~70%的氧化鉍、12~20%的氧化硼、5~10%的氧化鋅、5~10%的氧化硅、2~10%的氧化鈦。
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