[發(fā)明專(zhuān)利]一種發(fā)光二極管及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210375884.X | 申請(qǐng)日: | 2012-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103715319A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張楠;郝茂盛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海藍(lán)光科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/10 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管,其特征在于,依次包括襯底;設(shè)置在所述襯底一表面的發(fā)光結(jié)構(gòu)層,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層呈倒梯形結(jié)構(gòu)且至少包括N型半導(dǎo)體層、位于N型半導(dǎo)體層上的量子阱層、及位于量子阱層上的P型半導(dǎo)體層;位于所述N型半導(dǎo)體層上的N電極;依次位于P型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層和P電極;結(jié)合于所述透明導(dǎo)電層表面的第一反射鏡層;設(shè)置在所述襯底另一表面上的第二反射鏡層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:所述第一反射鏡層對(duì)波長(zhǎng)范圍為420~480nm的可見(jiàn)光透過(guò)率大于90%、對(duì)波長(zhǎng)范圍為500~800nm的可見(jiàn)光的反射率大于90%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第一反射鏡層包括分布布拉格反射鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第二反射鏡層對(duì)波長(zhǎng)范圍為420~480nm的可見(jiàn)光反射率大于98%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第二反射鏡層包括分布布拉格反射鏡或全方位反射鏡。
6.一種發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,所述制作方法至少包括步驟:
a)提供一襯底,在所述襯底一表面上制備選擇性生長(zhǎng)層;
b)在所述襯底表面的非選擇性生長(zhǎng)層區(qū)選擇性外延生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)層,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層至少包括N型半導(dǎo)體層、位于N型半導(dǎo)體層上的量子阱層、及位于量子阱層上的P型半導(dǎo)體層。通過(guò)橫向生長(zhǎng)技術(shù)使得發(fā)光結(jié)構(gòu)層形成倒梯形結(jié)構(gòu);
c)通過(guò)刻蝕技術(shù)在N型半導(dǎo)體層上制備N(xiāo)電極,在P型半導(dǎo)體層上依次制備透明導(dǎo)電層和P電極;
d)在所述透明導(dǎo)電層上制備第一反射鏡層;
e)研磨拋光所述襯底的另一表面,然后在所述襯底的另一表面上制備第二反射鏡層;
f)裂片,獲得獨(dú)立的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:所述選擇性生長(zhǎng)層材料包括SiO2、Si3N4或W。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:所述選擇性生長(zhǎng)層的厚度為10~1000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:所述第一反射鏡層對(duì)波長(zhǎng)范圍為420~480nm的可見(jiàn)光透過(guò)率大于90%、對(duì)波長(zhǎng)范圍為500~800nm的可見(jiàn)光的反射率大于90%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第一反射鏡層包括分布布拉格反射鏡。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第二反射鏡層對(duì)波長(zhǎng)范圍為420~480nm的可見(jiàn)光反射率大于98%。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管,其特征在于:所述第二反射鏡層包括分布布拉格反射鏡或全方位反射鏡。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:采用電子束蒸鍍、濺射或離子輔助鍍膜來(lái)制備分布布拉格反射鏡或全方位反射鏡。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于上海藍(lán)光科技有限公司,未經(jīng)上海藍(lán)光科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210375884.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





