[發明專利]非晶硅中間帶太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請號: 201210375872.7
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN102891191A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 周天微;曹權;左玉華;王啟明
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，包括：

導電襯底；

n型納米線，形成于所述導電襯底上；

非晶硅中間帶層，形成于所述n型納米線上；

p型非晶硅層，形成于所述非晶硅中間帶層上；

透明導電薄膜層，形成于所述p型非晶硅層上。

2.根據權利要求1所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，所述n型納米線為氮磷摻雜的ZnO納米線。

3.根據權利要求2所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，還包括：本征非晶硅，沉積于所述n型ZnO納米線表層，用于鈍化其表面態。

4.根據權利要求1所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，所述非晶硅中間帶層為過渡金屬重摻雜的非晶硅中間帶本征材料。

5.根據權利要求4所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，所述過渡金屬為鈦、鉻或鈷；所述重摻雜的摻雜濃度大于5×10¹⁹cm^-3。

6.根據權利要求5所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，所述過渡金屬為鈦，所述摻雜濃度大于10²⁰cm^-3。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的非晶硅中間帶太陽能電池，其特征在于，所述襯底為不銹鋼襯底或導電玻璃襯底。

8.一種非晶硅中間帶太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

在導電襯底上制備納米線；

對所述納米線進行摻雜形成n型納米線；

在所述n型納米線上生長非晶硅中間帶本征材料；

在所述非晶硅中間帶本征材料上生長p型非晶硅層；

在所述p型非晶硅層上制備透明導電薄膜層，從而完成非晶硅中間帶太陽能電池的制備。

9.根據權利要求8所述的非晶硅中間帶太陽能電池制備方法，其特征在于，所述納米線為ZnO納米線；

所述對納米線進行摻雜形成n型納米線的步驟包括：對所述ZnO納米線進行氮磷摻雜以形成n型ZnO納米線。

10.根據權利要求9所述的非晶硅中間帶太陽能電池制備方法，其特征在于，所述在n型納米線上生長非晶硅中間帶本征材料的步驟之前還包括：

在所述n型ZnO納米線的表層沉積本征非晶硅，對其表面態進行鈍化。

11.根據權利要求8所述的非晶硅中間帶太陽能電池制備方法，其特征在于，所述在ZnO納米線上生長非晶硅中間帶本征材料的步驟包括：在所述ZnO納米線上生長過渡金屬雜質摻雜的非晶硅中間帶本征材料。

12.根據權利要求11所述的非晶硅中間帶太陽能電池制備方法，其特征在于，所述過渡金屬為鈦、鉻或鈷；所述重摻雜的摻雜濃度大于5×10¹⁹cm^-3。