[發明專利]晶片加工方法

有效

• 申請號: 201210375276.9
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103107136A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 小林賢史;趙金艷
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00;B23K26/36;B23K26/42
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種晶片加工方法，所述晶片加工方法用于將晶片沿形成為格子狀的間隔道分割開，所述晶片在表面由間隔道劃分出的多個區域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保護帶粘貼工序，在該保護帶粘貼工序中，將保護帶粘貼在晶片的表面；

改性層形成工序，在該改性層形成工序中，使用具有卡盤工作臺的激光加工裝置，所述卡盤工作臺具有用于保持晶片的保持面且構成為能夠在保持面作用負壓和空氣壓力，通過將晶片的保護帶側載置在所述卡盤工作臺的所述保持面并在所述保持面作用負壓，從而將晶片抽吸保持在所述保持面上，從晶片的背面側沿間隔道照射波長相對于晶片具有透過性的激光光線，在晶片內部沿間隔道形成改性層，所述改性層的深度為從晶片的表面起未達到器件的精加工厚度的深度；

晶片分割工序，在該晶片分割工序中，將對實施了所述改性層形成工序的晶片進行抽吸保持的卡盤工作臺所進行的抽吸保持解除，并且，一邊對在所述保持面載置的晶片在水平面內的移動進行限制一邊對晶片作用空氣壓力，從而沿著形成有改性層的間隔道將晶片分割為一個個器件；以及

改性層除去工序，在該改性層除去工序中，對實施了所述晶片分割工序的晶片的背面進行磨削，將晶片形成為器件的精加工厚度，從而除去改性層。

2.根據權利要求1所述的晶片加工方法，其中，

在實施所述保護帶粘貼工序之后且實施所述改性層形成工序之前實施預磨削工序，在該預磨削工序中，磨削晶片的背面，將晶片形成為預定的厚度，所述預定的厚度是能夠在所述改性層形成工序中形成合適的改性層的厚度。

3.一種晶片加工方法，所述晶片加工方法用于將晶片沿形成為格子狀的間隔道分割開，所述晶片在表面由間隔道劃分出的多個區域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保護帶粘貼工序，在該保護帶粘貼工序中，將保護帶粘貼在晶片的表面；

改性層形成工序，在該改性層形成工序中，從晶片的背面側沿間隔道照射波長相對于晶片具有透過性的激光光線，在晶片內部沿間隔道形成改性層，所述改性層的深度為從晶片的表面起未達到器件的精加工厚度的深度；

晶片分割工序，在該晶片分割工序中，使用具有卡盤工作臺的磨削裝置，所述卡盤工作臺具有用于保持晶片的保持面且構成為能夠在所述保持面作用負壓和空氣壓力，將實施了所述改性層形成工序的晶片的保護帶側載置在所述卡盤工作臺的所述保持面，通過一邊對在所述保持面載置的晶片在水平面內的移動進行限制一邊作用空氣壓力，從而將晶片沿著形成有改性層的間隔道分割為一個個器件；以及

改性層除去工序，在該改性層除去工序中，在實施所述晶片分割工序后，通過在所述磨削裝置的所述卡盤工作臺的所述保持面作用負壓從而將晶片抽吸保持在所述保持面上，通過磨削晶片的背面而將晶片形成為器件的精加工厚度，來除去改性層。

4.根據權利要求3所述的晶片加工方法，其中，

在實施上述保護帶粘貼工序之后且實施上述改性層形成工序之前，實施預磨削工序，在該預磨削工序中，磨削晶片的背面，將晶片形成為預定厚度，所述預定厚度是能夠在改性層形成工序中形成合適的改性層的厚度。