[發(fā)明專利]一種吸波材料

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210374588.8
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103717047A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉若鵬;趙治亞;寇超鋒;李云龍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種吸波材料，其特征在于：包括設(shè)置于目標(biāo)物體前方的第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層；所述第一電容電阻混合層由多個第一單元結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述第一單元結(jié)構(gòu)包括第一、第二、第三、第四基本單元，第一基本單元包括第一分支以及從第一分支兩端向上垂直延伸的第二分支和第三分支，所述第二分支和第三分支之間等間距排布有數(shù)目大于一條的多條第四分支；將第一基本單元以第二分支為旋轉(zhuǎn)軸順時針旋轉(zhuǎn)90°得到第二基本單元，將第二基本單元以第二單元第二分支為旋轉(zhuǎn)軸順時針旋轉(zhuǎn)90°得到第三基本單元，將第三基本單元以第三基本單元第二分支為旋轉(zhuǎn)軸順時針旋轉(zhuǎn)90°得到第四基本單元；將第一基本單元至第四基本單元組合成單元結(jié)構(gòu)時，第一基本單元第二分支與第二基本單元第一分支重合，第二基本單元第二分支與第三基本單元第一分支重合，第三基本單元第二分支與第四基本單元第一分支重合，第四基本單元第二分支與第一基本單元第一分支重合；所述第二電容電阻混合層由多個第二單元結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述第二單元結(jié)構(gòu)與第一單元結(jié)構(gòu)不同之處在于，第二單元結(jié)構(gòu)的第二分支和第三分支之間等間距的排布有一條第四分支。

2.如權(quán)利要求1所述的吸波材料，其特征在于：所述多個第一單元結(jié)構(gòu)和第二單元結(jié)構(gòu)通過如下方式組合成第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層：第一單元結(jié)構(gòu)的第一基本單元的分支不接觸地插入相鄰的第一單元結(jié)構(gòu)的第三基本單元相鄰分支形成的間隙中，第一單元結(jié)構(gòu)的第二基本單元的分支不接觸地插入相鄰的第一單元結(jié)構(gòu)的第四基本單元相鄰分支形成的間隙中；第二單元結(jié)構(gòu)的第一基本單元的分支不接觸地插入相鄰的第二單元結(jié)構(gòu)的第三基本單元相鄰分支形成的間隙中，第二單元結(jié)構(gòu)的第二基本單元的分支不接觸地插入相鄰的第二單元結(jié)構(gòu)的第四基本單元相鄰分支形成的間隙中。

3.如權(quán)利要求2所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層中，位于同一電容電阻混合層上的所有分支的長度、寬度和厚度均相等，相鄰分支的間距均等于分支寬度。

4.如權(quán)利要求3所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層中所有分支厚度均為0.015至0.025毫米。

5.如權(quán)利要求1所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層與第二電容電阻混合層的間距和第二電容電阻混合層與目標(biāo)物體的間距相等。

6.如權(quán)利要求5所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層的間距為2-4毫米。

7.如權(quán)利要求5所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層與第二電容電阻混合層之間以及第二電容電阻混合層與目標(biāo)物體之間填充有空氣或?yàn)檎婵铡?/p>

8.如權(quán)利要求5所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層的方塊電阻值為150至160歐姆，所述第二電容電阻混合層的方塊電阻為20至30歐姆。

9.如權(quán)利要求3所述的吸波材料，其特征在于：所述第一電容電阻混合層和第二電容電阻混合層上，所有分支的寬度均為0.1毫米。

10.如權(quán)利要求1所述的吸波材料，其特征在于：第一單元結(jié)構(gòu)的第二分支和第三分支之間等間距的排布有六條第四分支。