[發(fā)明專利]一種用于提高金屬電極與晶體硅附著力的激光摻雜工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210373442.1
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102916077A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳亞軍;馮立學(xué);梁會寧;胡元慶;李華恩
• 申請（專利權(quán)）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種用于提高金屬電極與晶體硅附著力的激光摻雜工藝，硅片制絨，硼擴散，生長掩膜，磷擴散，激光摻雜，電鍍，其特征在于：?所述的激光摻雜采用聚焦線性光斑光學(xué)系統(tǒng)及結(jié)合整形脈沖波完成，所述的聚焦線性光斑能量均勻分布，其短軸長軸之比為1:2-1:50，短軸尺寸為10-30um，長軸尺寸為20-1500um。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高金屬電極與晶體硅附著力的激光摻雜工藝，其特征在于：所述的整形脈沖波是可調(diào)制的，在2個或2個以上時間區(qū)間段具備不同的脈沖能量與峰值功率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于提高金屬電極與晶體硅附著力的激光摻雜工藝，其特征在于：所述的2個時間區(qū)段為第一時間區(qū)段（8）、第二時間區(qū)段（9），所述的第一時間區(qū)段（8）時間為2-100ns，所述的第二時間區(qū)段（9）的時間為10-2000ns。