[發明專利]一種制絨深度穩定的方法無效
| 申請號: | 201210373312.8 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN102916075A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 張若華;楊樂;陸宇峰;姚猛;豆曉波 | 申請(專利權)人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 深度 穩定 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種多晶太陽能電池的制造工藝,具體涉及一種制絨深度穩定的方法。
背景技術
現在的多晶太陽能電池制造工藝中,制絨工藝是關鍵的一步,制絨的好壞直接關系著電池片的外觀和性能。制絨深度的穩定是后段工序的基礎,如果制絨深度不穩定,會影響擴散方阻的片內均勻性和方阻波動;還會導致鍍膜膜厚波動較大,偏薄發紅或偏厚發白,影響電池片的外觀,并且制絨波動較大,絨面和燒結溫度不匹配,會導致電池片燒結后出現鋁包,所以控制制絨深度的穩定至關重要,制絨深度的穩定是后續工序做好的基礎。
多晶硅片制絨采用酸腐蝕,酸腐蝕液為HF、HNO3和去離子水按一定比例混合而成,其中HNO3為強氧化劑,在反應中提供反應所需要的空穴;HF?的作用是與反應的中間產物SiO2反應生成絡合物H2SiF6以促進反應進行;水對反應起緩沖作用;反應中還會生成少量HNO2,它能促進反應的發生,因此這是一種自催化反應,?HNO2的量達到飽和后反應的速率會非常穩定。
由于HF、HNO3和去離子水的混合液發生了多種配比的化學反應,如下:
Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O???????????????????(1)
3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O??????????????????(2)
3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2???????????????(3)
5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2??????????(4)
過程的中間產物HNO2起到自催化作用,如果生產過程中不能保持穩定的話,會影響到整個反應,制絨深度波動較大。
RENA新型NIAK機臺溶液由溶液罐循環進制絨槽的過程中,由于循環是層流,產生的NOx主要集中在制絨槽上部,下部比較少,這樣溶液就形成了許多濃度不同的氮氧化物層,僅僅只有上層是飽和的,但也溶液揮發,被排風抽走,短時間不放片制絨,不能持續產生NOx,和多晶硅片反應的上部溶液中的NOx的量急劇減少,制絨深度也會急劇下降,影響制絨的穩定性。
NIAK機臺的原溶液循環設計為溶液由罐通過噴頭噴入制絨槽內,但由于溶液為層流,多晶硅片進入制絨槽只和上層溶液反應,反應產生的NOx主要富集在上層溶液中,下層溶液中NOx濃度較小,且各層溶液交換很少,此種情況下如果不連續放片,就不能持續產生NOx,表層中的NOx很容易揮發,導致多晶硅片在和溶液反應時,NOx含量較少,制絨深度急劇下降,此種循環設計在放片速度不能完全均速的情況下,制絨深度波動較大。
發明內容
發明目的:是針對現有技術存在的不足,提供了一種制絨深度穩定的方法。
技術方案:為實現上述目的,本發明提供了一種制絨深度穩定的方法,NIAK機臺的的在制絨槽中部設置前粗后細的多噴嘴管道,所述多噴嘴管道上的噴嘴從前到后噴出液體的高度相同。
本發明采用通過多噴嘴管道均勻的噴入制絨槽的各點,帶動制絨槽中各處溶液的交換、循環;制絨槽中不再有層流現象,使NOx在制絨槽中均勻分布,不連續放片的時候由于制絨槽中各處的NOx相同且都處于飽和,此時從溶液中揮發出的氮氧化物的量不足以改變溶液成分,制絨深度波動較小,使制絨深度穩定。
本發明中所述多噴嘴管道上噴嘴噴嘴的位置位于傳送滾輪的正下方;噴嘴和多噴嘴管道管道體之間安裝限流圈來調節各道噴嘴噴出液體的高度,正好噴在傳送滾輪上,不直接噴到硅片上,保證了多晶硅片制絨的穩定性、均勻性。
有益效果:本發明與現有技術相比具有以下優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





