[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210370885.5
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103035614A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: D.梅因霍爾德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;王忠忠

1.一種半導體結構，包括：

傳導墊，所述傳導墊包括被至少部分地通過所述傳導墊置放的多個橫向地隔開的間隙。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述間隙被基本完全地通過所述傳導墊置放。

3.根據權利要求1所述的結構，其中每一個所述間隙的至少下部填充有介電材料。

4.根據權利要求2所述的結構，其中所述介電材料是氧化物。

5.根據權利要求1所述的結構，其中每一個所述間隙的上部是空腔。

6.根據權利要求1所述的結構，其中每一個所述間隙的基本上全部是空腔。

7.根據權利要求2所述的結構，其中每一個所述間隙的基本上全部填充有所述介電材料。

8.根據權利要求1所述的結構，其中所述多個間隙被沿著第一方向和沿著第二方向布置。

9.根據權利要求1所述的結構，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。

10.根據權利要求1所述的結構，其中所述間隙具有長方形橫向截面。

11.根據權利要求1所述的結構，其中所述傳導墊是所述半導體結構的最終金屬化層級的一個部分。

12.根據權利要求8所述的結構，其中所述間隙沿著所述第一方向交錯并且沿著所述第二方向交錯。

13.根據權利要求1所述的結構，進一步包括處于所述傳導墊的有效墊區域之下的電子器件。

14.一種半導體結構，包括：

包括傳導線的最終金屬化層級，所述傳導線包括至少部分地通過所述傳導線置放的多個橫向地隔開的間隙。

15.根據權利要求14所述的結構，其中所述間隙被基本完全地通過所述傳導線置放。

16.根據權利要求14所述的結構，其中每一個所述間隙的至少下部填充有介電材料。

17.根據權利要求16所述的結構，其中所述介電材料是氧化物。

18.根據權利要求14所述的結構，其中每一個所述間隙的上部是空腔。

19.根據權利要求14所述的結構，其中每一個所述間隙的基本上全部是空腔。

20.根據權利要求14所述的結構，其中每一個所述間隙的基本上全部填充有所述介電材料。

21.根據權利要求14所述的結構，其中所述多個間隙被沿著第一方向和沿著第二方向布置。

22.根據權利要求21所述的結構，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。

23.根據權利要求14所述的結構，其中所述間隙具有長方形橫向截面。

24.根據權利要求14所述的結構，其中所述傳導線的至少一個部分是傳導墊。

25.根據權利要求14所述的結構，其中所述半導體結構包括處于所述傳導墊的有效墊區域之下的電子器件。

26.一種制造半導體結構的方法，包括：

形成介電層；

圖案化所述介電層從而形成多個橫向地隔開的介電區域，所述介電區域在其間限定開口；

在所述開口內形成傳導層；和

移除每一個所述介電區域的至少一個部分以在每一個所述介電區域的至少上部中形成空腔。

27.根據權利要求26所述的方法，其中所述移除僅僅移除每一個所述介電區域的上部。

28.根據權利要求26所述的方法，其中所述傳導層是最終金屬化層級的一個部分。

29.根據權利要求26所述的方法，其中所述圖案化包括蝕刻所述介電層。

30.根據權利要求26所述的方法，其中所述形成所述傳導層包括電沉積工藝。

31.根據權利要求26所述的方法，其中所述形成所述傳導層是雙鑲嵌工藝。

32.根據權利要求26所述的方法，其中所述開口是雙層開口的一個部分。

33.根據權利要求26所述的方法，其中所述傳導層包括Cu（銅）。

34.根據權利要求33所述的方法，其中所述Cu具有純銅和/或銅合金的形式。