[發明專利]一種評價油品的低溫腐蝕性能的方法

在審

• 申請號: 201210369630.7
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103712872A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 徐波;章群丹;王京;田松柏
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科學研究院
• 主分類號: G01N5/00
• 分類號: G01N5/00
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 劉國平;顧映芬

技術領域

本發明涉及一種評價油品的低溫腐蝕性能的方法。

背景技術

隨著市場需求的擴大，國內的煉油能力迅速增加，原油的需求量越來越大。同時，隨著石油資源的深度開采，原油劣質化趨勢日趨明顯，高硫、高酸原油在原油貿易市場上占有較大的比例，腐蝕介質含量明顯增高。這些高硫、高酸原油在加工過程中會造成煉油設備的嚴重腐蝕，一方面影響裝置的長周期運行，直接導致煉廠經濟效益的下降；另一方面影響安全生產。煉廠針對油品的高溫腐蝕性能采取了一系列行之有效的措施，如材質升級，注入高溫緩蝕劑等。然而，目前對煉廠存在的低溫腐蝕重視程度不夠，也缺乏快速、簡便且行之有效的監測手段。因此，十分有必要建立評價油品的低溫腐蝕性能的方法。

油品的低溫腐蝕主要是電化學腐蝕，電化學腐蝕的本質決定了電化學方法是腐蝕檢測最有效的方法，但油品的導電性較差，使電化學方法的靈敏度大打折扣，加上電化學方法實驗條件要求比較嚴格，波動比較大，使得電化學方法難以用于評價油品的低溫腐蝕性能。

目前，油品的低溫腐蝕性能的評價方法趨向于將油品樣品與活性金屬接觸，使油品樣品中的腐蝕介質與活性金屬發生反應，然后稱量活性金屬反應前后的質量變化值，并由來表征活性金屬反應前后的質量變化值表征油品的低溫腐蝕性能。在已有技術中，如此評價油品的低溫腐蝕性能的方法有掛片法、鐵粉法、電感探針法等。雖然這些方法各有優點，但是它們都存在樣品使用量大、誤差較大且評價時間較長的缺點。因此，迫切需要開發一種樣品用量少、快速高效、精確度高的評價方法。

發明內容

本發明的目的是為了克服現有的評價油品的低溫腐蝕性能的方法存在的樣品使用量大、誤差較大且評價時間較長的缺點，提供一種新的評價油品的低溫腐蝕性能的方法。

本發明提供了一種評價油品的低溫腐蝕性能的方法，該方法在石英晶體微天平上實施，所述石英晶體微天平包括檢測傳感器、信號檢測裝置和數據處理裝置，所述檢測傳感器包括石英晶片和涂覆在石英晶片的表面上的反應層，所述反應層能夠與油品中的腐蝕介質發生反應；所述方法包括：用所述信號檢測裝置檢測所述檢測傳感器的初始共振頻率，接著在0-45℃下將所述油品與所述檢測傳感器中的反應層接觸反應，在接觸反應之后，將所述反應層洗滌和干燥，之后再用所述信號檢測裝置檢測所述檢測傳感器的反應后的共振頻率，然后基于所述檢測傳感器在接觸反應前后的共振頻率的變化值，通過所述數據處理裝置計算出所述反應層在接觸反應前后的質量變化。

根據本發明的所述評價油品的低溫腐蝕性能的方法，石英晶體微天平中的石英晶體具有壓電效應（即對石英晶體施加電場，石英晶體會發生變形，而電場去掉后，石英晶體的變形隨之消失），石英晶體的表面電極的質量變化可以表現為檢測傳感器的共振頻率發生變化（參見《石英晶體微天平工作原理及其在腐蝕研究中的應用和進展》，汪川、王振堯、柯偉，腐蝕科學與防護技術，第20卷，第5期，2008年9月）。在本發明中，通過使油品與檢測傳感器中的反應層接觸反應會使反應層的質量發生變化，而這種質量的變化可以通過接觸反應前后的檢測傳感器的共振頻率變化值表現出來，因此，根據接觸反應前后的檢測傳感器的共振頻率變化值與反應層的質量變化值的相關性，由檢測出的所述共振頻率變化值能夠計算出反應層的質量變化值，從而表征出油品的低溫腐蝕性能。

而且，石英晶體微天平的靈敏度較高，使得本發明提供的所述方法具有以下優點：（1）測量精度較高，實驗誤差較小，測量下限可達0.4ng/cm²；（2）所需加入的樣品量較少，一般只需要200-400μL；（3）測量時間較短，本發明的所述方法所用時間通常約為電感探針法所用時間的五分之一；（4）測量量程較大，檢測傳感器在保證測量精度的前提下，允許的頻率變化為44000Hz，即反應層的重量最高可達785μg/cm²，而檢測傳感器的測量下限可達0.4ng/cm²。因此，根據本發明的所述方法可以快速地、準確地檢測出油品的低溫腐蝕性能，而且所需使用的油品樣品量較小。

本發明的其他特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

附圖說明

附圖是用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明，但并不構成對本發明的限制。在附圖中：

圖1是本發明中采用的石英晶體微天平的結構示意圖；

圖2是本發明的具體實施方式中采用的檢測池的結構示意圖；

圖3是檢測傳感器的結構示意圖。

附圖標記說明