[發明專利]一種偏晶向籽晶的加工方法

有效

• 申請號: 201210369339.X
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN102873770A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 孫新利
• 申請（專利權）人: 孫新利
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D7/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種偏晶向籽晶的加工方法，其加工方法如下：

1)選取一段未滾圓的無位錯硅單晶晶棒，長度約130～140mm；

2)根據生長軸線選取主參考面位置，并用金剛筆在晶錠端面做好標記；

3)將做好標記的晶錠進行外徑一次滾圓，得到滾圓好的晶錠(1-1)；

4)將滾圓好的晶錠置于X-ray晶向衍射儀上，打開X-ray晶向衍射儀設備，進行點檢確認，并將參考面標記側對準射線測試端面，尋找準確的參考面(110)位置，并做好標記；

5)根據X-ray晶向衍射儀精確查找助參考面位置確認最近距離的OF面，主參考面法向垂直，所謂OF面為偏晶向硅片指定的晶向偏離面；

6)將做好標記的晶錠進行黏膠，黏膠位置為主參考面位置，待膠干后將晶錠置于內圓切割機上進行晶向偏離切割；

7)調整內圓切割機定位系統，使晶錠偏向OF面，切割晶錠端面；

8)將切割好的晶錠端面置于X-ray晶向衍射儀上進行晶向測試，確認晶向偏離度；

9)多次重復7～8步驟可以得到端面晶向在OF面偏離指定角度；

10)將晶錠另一端平行切割，得到兩端平行的端面晶向具有指定偏度的晶錠(2-1)；

11)將端面處理后的晶錠進行二次滾圓，得到處理后的偏晶向晶錠(3-1)；

12)將二次滾圓好的晶錠置于銑床下，調整水平，采用籽晶套取裝置(4-1)進行籽晶垂直套取；

13)將套取好的籽晶(5-1)進行表面夾緊工位加工；

14)將加工好的籽晶(5-1)進行表面化學拋光，去除表面損傷層，并清洗；

15)將清洗好的籽晶(5-1)用潔凈紙包裝好，并注明晶向偏離及其偏離度；

16)重復11～15步驟可在同一晶錠得到多枚偏晶向籽晶，重復1～15步驟可得到多批次偏晶向籽晶；

17)將加工好的偏晶向籽晶用于生長硅單晶，按照常規單晶生長流程生長硅單晶即可得到與籽晶一致偏度的偏晶向單晶。

2.根據權利要求1所述的偏晶向籽晶的加工方法，其特征在于：位錯密度小于100個/cm²，碳含量小于0.2ppma、少子壽命大于1000μs。

3.根據權利要求1所述的偏晶向籽晶的加工方法，其特征在于：水冷進行滾圓加工、晶錠端面加工、籽晶套取加工。

4.根據權利要求1所述的偏晶向籽晶的加工方法，其特征在于：籽晶加工中采用X-ray晶向衍射儀確認主參考面位置及晶向偏離度。

5.根據權利要求1所述的偏晶向籽晶的加工方法，其特征在于：籽晶加工中采用內圓切割機加工晶錠原始偏向端面。

6.根據權利要求1的偏晶向籽晶的加工方法，其特征在于：步驟(7)晶錠一端端面晶向在OF面偏離的指定角度為1.5-3°。