[發明專利]具有等體積的接觸凸塊的共面陣列的同步降壓轉換器

在審

• 申請號: 201210367982.9
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035603A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 胡安·A·赫布佐默;奧斯瓦爾多·J·洛佩斯;喬納森·A·諾奎爾;達維德·豪雷吉;馬克·E·格拉納亨
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H02M3/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王璐

1.一種設備，其包含：

載體，其具有帶有多個接觸墊的表面，所述墊不位于一平面上；

多個焊料凸塊，其具有相同的體積，一凸塊附接到每一墊，每一凸塊分布在相應的墊區域上且具有帶有頂端的凸起表面；且

所述頂端位于共用平面內。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述凸起凸塊表面具有球形外形。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述凸起凸塊表面是通過焊料回流工藝形成。

4.一種經封裝電力供應模塊，其包含：

具有第一電力場效晶體管FET的芯片及具有以導電方式并排附接到導電載體上的第二FET的芯片，所述晶體管具有具第一面積的接合墊，且所述載體具有具小于所述第一面積的第二面積的接合墊；及

導電凸塊，其附接到所述晶體管接合墊及所述載體接合墊，所述凸塊具有相等的體積且共面，所述晶體管墊上的所述凸塊具有第一高度，且所述載體墊上的所述凸塊具有大于所述第一高度的第二高度。

5.根據權利要求4所述的模塊，其中所述第一及第二芯片具有相等的厚度。

6.根據權利要求5所述的模塊，其中所述晶體管接合墊位于第一平面內，且所述載體接合墊位于與所述第一平面間隔的第二平面內，所述間隔約等于所述芯片厚度。

7.根據權利要求6所述的模塊，其中所述第二凸塊高度與所述第一凸塊高度之間的差等于所述第一平面與所述第二平面之間的所述間隔。

8.根據權利要求4所述的模塊，其中所述載體為由具有可焊接表面的金屬制成的平坦板。

9.根據權利要求8所述的模塊，其中所述金屬包括銅或鋁。

10.根據權利要求4所述的模塊，其中所述第一及所述第二FET附接到一個載體表面上，而相對的載體表面可用于附接散熱片。

11.根據權利要求4所述的模塊，其中所述導電凸塊為焊料。

12.根據權利要求11所述的模塊，其中所述焊料凸塊具有約0.014mm³的體積，如直徑為0.3mm的焊料球所提供；晶體管接合墊面積約為0.18mm²，如由直徑為0.48mm的圓形所提供；及載體接合墊面積約為0.07mm²，如由直徑為0.3mm的圓形所提供。

13.根據權利要求4所述的模塊，其中所述FET接合墊及所述載體接合墊由不可焊接涂層圍繞。

14.根據權利要求13所述的模塊，其中所述FET接合墊的所述不可焊接涂層是順應性的，且足夠厚以用作所述凸塊之間的應力吸收底部填充。

15.根據權利要求4所述的模塊，其中所述晶體管的所述導電凸塊以由列及行組成的有序圖案排列。

16.根據權利要求15所述的模塊，其中所述晶體管凸塊以標準占用面積排列。

17.根據權利要求4所述的模塊，其中所述第一FET使其漏極以導電方式附接到所述載體，且所述第二FET使其源極以導電方式附接到所述載體。

18.根據權利要求17所述的模塊，其中所述第一FET為所述模塊的同步(低側)晶體管，且所述第二FET為所述模塊的控制晶體管(高側)。