[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210367532.X
• 申請(qǐng)日: 2012-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN103700777A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

1987年，美國(guó)Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展，利用超薄薄膜技術(shù)制備出高亮度、高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，10V下亮度達(dá)到1000cd/m²，其發(fā)光效率為1.51lm/W，壽命大于100小時(shí)。

OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道（HOMO），電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，空穴注入層的材質(zhì)通常為金屬氧化物（如氧化鉬），但此時(shí)空穴注入層的材質(zhì)選擇范圍窄，同時(shí)，金屬氧化物在可見光范圍內(nèi)的吸光率較高，造成太陽(yáng)光損失，且金屬氧化物為無機(jī)物，與空穴傳輸層的有機(jī)材料性質(zhì)差別較大，兩者在接觸的界面上相容性較差，在制備過程中易出現(xiàn)缺陷，造成空穴損失及器件發(fā)光效率減低。另一方面，現(xiàn)有的底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件一般包含帶ITO功能層的玻璃基底，ITO的折射率為1.5，相鄰的有機(jī)發(fā)光層材料折射率一般約為1.7，導(dǎo)致光從有機(jī)層出射至ITO層時(shí)發(fā)生全反射而無法從出光端發(fā)射，也導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率降低。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件。所述有機(jī)電致發(fā)光器件為頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，空穴注入層的材質(zhì)為二氧化鈦、聚3，4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）及聚苯乙烯磺酸（PSS），其中，二氧化鈦使空穴注入層具有空穴傳輸?shù)淖饔茫?，4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）的折射率約為1.5，光線在發(fā)射至玻璃基底表面時(shí)會(huì)發(fā)生全反射，金屬陽(yáng)極也會(huì)對(duì)光線進(jìn)行反射，從而提高器件的出光效率。

本發(fā)明還提供上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，為頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層的材質(zhì)包括二氧化鈦、聚3，4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）及聚苯乙烯磺酸（PSS）。

優(yōu)選地，所述二氧化鈦的粒徑為20nm~200nm。

優(yōu)選地，所述的二氧化鈦為銳鈦型二氧化鈦。銳鈦型二氧化鈦的比表面積大，利于提高空穴緩沖層的功函數(shù)及空穴傳輸性能。

優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為50~200nm。

所述的玻璃基底為市售普通玻璃。

優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銀（Ag）、鋁（Al）、鉑（Pt）或金（Au）。

更優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銀（Ag）。

優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的厚度為80-250nm。更優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的厚度為100nm。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-2-萘蒽（ADN）、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯（BCzVBi）或8-羥基喹啉鋁（Alq₃）。

更優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁（Alq₃）。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為5~40nm。更優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為15nm。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉（Bphen）、-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。

更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為40~100nm。更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為60nm。

優(yōu)選地，所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫（Cs₂CO₃）、氟化銫（CsF）、疊氮化銫（CsN₃）或者氟化鋰（LiF）。

更優(yōu)選地，所述電子注入層的材質(zhì)為氟化鋰（LiF）。

優(yōu)選地，所述電子注入層的厚度為0.5~10nm。更優(yōu)選地，所述電子注入層的厚度為1nm。