[發(fā)明專利]一種金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210362681.7
• 申請(qǐng)日: 2012-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102854683A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦峰;王海宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1368
• 分類號(hào): G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來(lái)顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示（LCD）裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對(duì)。形成在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過(guò)基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來(lái)顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖1所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管（TFT）114、陣列子像素111、掃描線110、信號(hào)線112等。信號(hào)線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級(jí)，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過(guò)下偏光片109，成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓，而該電壓作用于液晶來(lái)控制偏振光的偏振方向，偏振光透過(guò)相應(yīng)的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場(chǎng)強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過(guò)的光強(qiáng)不一樣，顯示的亮度也不同。通過(guò)紅綠藍(lán)三種顏色的不同光強(qiáng)的組合來(lái)顯示五顏六色的圖像。

近年來(lái)隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于：氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術(shù)，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡(jiǎn)單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和干刻技術(shù)。另外，目前的激光晶化技術(shù)還達(dá)不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因?yàn)椴恍枰す饩Щ?，則沒(méi)有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢(shì)，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關(guān)注，成為近幾年研究的熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝的金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。

本發(fā)明提供一種金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板，包括：掃描線；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號(hào)線連接線電性連接的TFT源極、與像素電極電性連接的TFT漏極、以及位于TFT源極和TFT漏極之間的TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；共通電極線，與掃描線平行設(shè)置；柵格狀共通電極，與共通電極線電性連接；該柵格狀共通電極與柵格像素電極均交錯(cuò)位于像素區(qū)域。

本發(fā)明又提供一種金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟：

第一步：在基板分別以金屬氧化物層形成源漏極連接線圖形和第一絕緣層，源漏極連接線為TFT溝道區(qū)；

第二步：在第一絕緣層以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案；

第三步：在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；

第四步：在第二絕緣層上以透明ITO層形成信號(hào)線連接線、與信號(hào)線連接線連接的TFT源極、TFT溝道區(qū)、TFT漏極、與TFT漏極連接的柵格狀像素電極、與共通電極線連接且與柵格狀像素電極交錯(cuò)的柵格狀共通電極。

本發(fā)明又提供一種金屬氧化物平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟：

第一步：在基板分別以金屬氧化物層形成源漏極連接線圖形和第一絕緣層，源漏極連接線為TFT溝道區(qū)；

第二步：在第一絕緣層以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、與共通電極線連接的柵格狀共通電極、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案；

第三步：在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；

第四步：在第二絕緣層上以透明ITO層形成信號(hào)線連接線、與信號(hào)線連接線連接的TFT源極、TFT溝道、TFT漏極、與TFT漏極連接且與柵格狀共通電極交錯(cuò)的柵格狀像素電極。