[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201210360017.9
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103367111A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 太田喬;赤西勇哉;橋詰彰夫
• 申請（專利權）人: 大日本網屏制造株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶寧樂;向勇

1.一種基板處理方法，其特征在于，包括：

水分除去工序，從基板上除去水分，

硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，對基板供給硅烷化試劑，

蝕刻工序，在所述硅烷化工序之后，對所述基板供給蝕刻劑。

2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述基板的表面上，露出氮化膜以及氧化膜，

所述蝕刻工序，是用于通過所述蝕刻劑對所述氮化膜進行選擇性蝕刻的選擇蝕刻工序。

3.如權利要求2所述的基板處理方法，其特征在于，

所述氧化膜包括多孔質氧化硅或低溫形成氧化膜。

4.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述蝕刻劑是含有蝕刻成分的蒸汽。

5.如權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

所述蝕刻成分是氫氟酸。

6.如權利要求1～5中任意一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述水分除去工序，包括對基板進行加熱的加熱工序、使基板周邊的氣壓下降的減壓工序以及對基板照射光的照射工序中的至少一個工序。

7.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，還包括：

在進行了所述蝕刻工序之后，對所述基板供給沖洗液的沖洗工序，

干燥工序，在進行了所述沖洗工序之后，使所述基板干燥。

8.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，還包括：

加熱工序，與所述硅烷化工序并行地，對所述基板進行加熱。

9.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

水分除去單元，其從基板上除去水分，

硅烷化試劑供給單元，其對基板供給硅烷化試劑，

蝕刻劑供給單元，其對基板供給蝕刻劑，

控制單元，其通過控制所述水分除去單元，來執行從基板上除去水分的水分除去工序，通過控制所述硅烷化試劑供給單元，來在所述水分除去工序之后執行對所述基板供給硅烷化試劑的硅烷化工序，通過控制所述蝕刻劑供給單元，來在所述硅烷化工序之后執行對所述基板供給蝕刻劑的蝕刻工序。

10.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述水分除去單元，包括對基板進行加熱的加熱單元、對基板照射光的照射單元以及使基板周邊的氣壓下降的減壓單元中的至少一個單元。