[發(fā)明專利]放大裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210357297.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103166579A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丹治康紀(jì);乙部英一郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03F3/04 | 分類號(hào): | H03F3/04 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放大 裝置 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2011年12月8日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)No.2011-269200的優(yōu)先權(quán),其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及放大裝置。
背景技術(shù)
接近最大輸出時(shí),用于放大無(wú)線通信中所使用的高頻信號(hào)的放大器通常具有優(yōu)越的附加功率效率(PAE)。然而,在使用放大器的諸如移動(dòng)電話的通信設(shè)備中,最大輸出電平的使用頻率可較低,而在大約10dB到大約20dB的相對(duì)較低輸出的使用頻率可較高。
為此,在上述通信設(shè)備中,具有大約10dB到大約20dB的低輸出的PAE極大地影響由電池等內(nèi)部功率驅(qū)動(dòng)的通信設(shè)備的連續(xù)使用時(shí)間。
在這方面,開(kāi)關(guān)根據(jù)進(jìn)行操作所需要的輸出功率放大高頻信號(hào)時(shí)使用的放大器的技術(shù)已經(jīng)得以開(kāi)發(fā)。可提供以下相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)作為開(kāi)關(guān)多個(gè)操作模式中每個(gè)操作模式的最大輸出功率的技術(shù)實(shí)例。
諸如磷化鎵銦異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(后文中稱為“HBT”)等的高性能雙極型晶體管已被用作功率放大器。
同時(shí),通常砷化鎵基化合物半導(dǎo)體已被用作開(kāi)關(guān)放大器的開(kāi)關(guān),即,高電子遷移率晶體管(HEMT)。
為此,諸如使用以下相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)中所公開(kāi)的技術(shù)的放大裝置,可根據(jù)裝置操作所需要的輸出功率開(kāi)關(guān)放大高頻信號(hào)時(shí)所使用的放大器的放大裝置(或放大器模塊)需要組合例如多個(gè)半導(dǎo)體芯片,因此包括所組合的半導(dǎo)體芯片,從而導(dǎo)致制造成本的增加或單元尺寸的增大。
此外,近年來(lái),可將磷化鎵銦HBT和HEMT構(gòu)造成單個(gè)半導(dǎo)體芯片的復(fù)雜工藝已經(jīng)得以開(kāi)發(fā)。
然而,由于上述工序復(fù)雜,使用時(shí)會(huì)造成成本增加。
【相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)】
日本專利公開(kāi)號(hào)2001-211090
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供一種新的改進(jìn)的放大裝置,其可防止性能退化,同時(shí)降低制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種放大裝置,包括:第一放大器,連接在輸入高頻信號(hào)的輸入端子和輸出高頻信號(hào)的輸出端子之間,包括雙極型晶體管,并且放大從輸入端子輸入的高頻信號(hào);第二放大器,包括雙極型晶體管,放大從輸入端子輸入的高頻信號(hào),并且具有比第一放大器的最大輸出功率低的最大輸出功率;以及開(kāi)關(guān)單元,連接在第二放大器和輸出端子之間,通過(guò)輸出端子選擇性地輸出由第二放大器放大的高頻信號(hào),其中,所述開(kāi)關(guān)單元包括:阻抗變壓器,安裝在第二放大器和輸出端子之間的信號(hào)線上,進(jìn)行阻抗轉(zhuǎn)換;第一雙極型晶體管,其中,發(fā)射極接地,集電極被連接至信號(hào)線,根據(jù)用于控制開(kāi)關(guān)單元內(nèi)開(kāi)關(guān)操作的控制電壓的電流被施加給基極;以及第二雙極型晶體管,其中,集電極接地,發(fā)射極被連接至信號(hào)線,根據(jù)控制電壓的電流被施加給基極。
由于這種構(gòu)造,可確保每個(gè)與第一放大器相關(guān)的信號(hào)路徑和與第二放大器相關(guān)的信號(hào)路徑隔離,并且可防止性能退化。此外,由于這種構(gòu)造,與第一放大器或第二放大器內(nèi)所包括的雙極型晶體管類型相同的雙極型晶體管可用作開(kāi)關(guān)單元內(nèi)所包括的第一和第二雙極型晶體管。因此,由于這種構(gòu)造,可防止性能退化,同時(shí)降低成本。
開(kāi)關(guān)單元可進(jìn)一步包括電容器,該電容器的一端連接到第二雙極型晶體管的基極,另一端接地。
第一和第二放大器內(nèi)包括的雙極型晶體管以及開(kāi)關(guān)單元內(nèi)包括的第一和第二雙極型晶體管可由相同的工藝形成。
附圖說(shuō)明
結(jié)合附圖,通過(guò)以下具體實(shí)施方式,可更清晰地理解本發(fā)明的以上和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn),其中:
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的放大裝置的構(gòu)造實(shí)例的電路圖;
圖2A為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的開(kāi)關(guān)單元內(nèi)所包括的第二雙極型晶體管的效應(yīng)的曲線圖;
圖2B為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的開(kāi)關(guān)單元內(nèi)所包括的第二雙極型晶體管的效應(yīng)的曲線圖;
圖3為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的放大裝置的構(gòu)造實(shí)例的電路圖;
圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的開(kāi)關(guān)單元內(nèi)所包括的電容器的效應(yīng)的曲線圖;以及
圖4B為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的開(kāi)關(guān)單元內(nèi)所包括的電容器的效應(yīng)的曲線圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在在后文中參看附圖,詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在本發(fā)明的圖中,相似的參考數(shù)字表示具有大致相同的結(jié)構(gòu)和功能的相似元件,并且不重復(fù)描述相同的元件。
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