[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210356070.1
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103681257A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;倪景華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極結構，且在所述柵極結構兩側形成有側壁結構；

在所述柵極結構兩側的半導體襯底中形成凹槽；

在所述半導體襯底上形成一摻雜材料層，以完全覆蓋所述凹槽的側壁和底部；

執行一退火過程，以形成包圍所述凹槽的擴散層；

去除所述摻雜材料層；

在所述凹槽中形成嵌入式鍺硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽呈∑狀或U形。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述摻雜材料層的工藝為共形沉積工藝。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述共形沉積工藝為原子層沉積工藝或者自調整等離子沉積工藝。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝為激光誘導原子層沉積工藝。

6.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述摻雜材料層中的摻雜物質包含P型雜質。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型雜質包括硼或者含硼的物質。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型雜質的劑量為1.0×10¹⁵-1.0×10²¹atom/cm³。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述退火過程中，位于所述凹槽的側壁和底部上的摻雜材料層中的摻雜物質向所述半導體襯底中擴散進而形成所述擴散層。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火包括激光退火、峰值退火或者熱退火。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的溫度為600-1500℃。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝去除所述摻雜材料層。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生長工藝形成所述嵌入式鍺硅層。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述嵌入式鍺硅層之后，還包括執行一離子注入并退火的步驟，以在所述柵極結構兩側的半導體襯底中形成源/漏區。

15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。

16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述側壁結構包括至少一氧化物層和/或至少一氮化物層。