[發明專利]太陽能電池結構中的多層背面場層

有效

• 申請號: 201210352495.5
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103022181B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: X-Q·劉;D·C·羅;E·M·雷德爾;C·M·費策爾;R·R·金
• 申請（專利權）人: 波音公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 趙蓉民,張全信

1.光伏(PV)電池，包括：

發射體層(24)；

與所述發射體層(24)鄰近的基體層(26)；和

與所述基體層(26)鄰近的背面場(BSF)層(28)，所述BSF層(28)包括：

包括第一材料的第一層(30)；和

與所述第一層鄰近并包括不同于所述第一材料的第二材料的第二層(32)。

2.根據權利要求1所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第二層(32)與所述基體層(26)點陣匹配。

3.根據權利要求2所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第一層(30)與所述基體層(26)晶格失配。

4.根據權利要求3所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第一層(30)與所述基體層(26)晶格失配大于大約0%。

5.根據權利要求1所述的PV電池，其中所述發射體層(24)和基體層(26)每個包括AlGaInP材料。

6.根據權利要求5所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第一層(30)的第一材料包括AlGaAs材料。

7.根據權利要求6所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第二層(32)的第二材料包括AlGaInAs材料。

8.根據權利要1求所述的PV電池，其中所述BSF層(28)的所述第一層(30)比所述BSF層(28)的所述第二層(32)薄。