[發明專利]低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法

有效

• 申請號: 201210348244.X
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102867918A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 胡俊青;彭彥玲;陳志鋼;胡向華;劉倩;薛雅芳;蔣林;張冰潔
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46;C01B19/04;B82Y30/00
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.一種低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法，包括：將二甲亞砜與三氯苯混合，磁力攪拌下加入鎘源和聚3-己基噻吩P3HT，在氮氣保護下升溫至100℃下攪拌30min，再加熱到180-200℃，溫度穩定下注入180-200℃的硒源，再反應10-20min，然后自然冷卻至室溫；二甲亞砜、三氯苯、鎘源、3-己基噻吩P3HT、硒源的配比為8mL∶16mL∶0.13-1.3g∶50-100mg∶0.0192-0.0768g；將所得CdSe沉淀用過量的乙醇洗滌和分離后干燥，即得到CdSe/P3HT雜化納米晶。

2.根據權利要求1所述的一種低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法，其特征在于：所述鎘源為醋酸鎘。

3.根據權利要求1所述的一種低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法，其特征在于：所述硒源為硒粉。

4.根據權利要求1所述的一種低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法，其特征在于：所述硒源為注射法加入。

5.根據權利要求1所述的一種低溫液相法合成CdSe/P3HT超結構雜化納米晶的方法，其特征在于：所述CdSe超結構雜化納米晶尺寸為80-200nm。