[發明專利]一種制備有序一維有機納米線陣列的方法

無效

• 申請號: 201210346970.8
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103255374A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 揭建勝;吳藝明;張希威;張玉萍;張曉珍;卞良
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C30B23/00;C30B29/62;C30B29/54
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹毅

1.一種制備有序一維有機納米線陣列的方法，包括以下步驟：

步驟1）采用電子束沉積工藝在潔凈的硅或氧化硅襯底上蒸鍍5-8?nm厚的金納米顆粒薄膜；

步驟2）利用修飾金納米顆粒的襯底為生長基底，采用物理氣相沉積法制備有機單晶納米線陣列。

2.根據權利要求1所述的制備有序一維有機納米線陣列的方法，其特征在于，所述步驟（2）中的所述物理氣相沉積法（PVD）制備有機單晶納米線陣列，具體生長步驟如下：按照氣流的流動方向將制備所述有機納米線陣列的前驅體置于瓷舟中，并將其放入真空管式爐的中心溫區；取鍍金襯底置于所述真空管式爐的低溫區，所述襯底距離中心溫區10-2Ocm?；啟動真空泵，抽真空至所述爐腔內壓強低于1?Pa?后，向爐腔內通入惰性保護氣體氬氣至所述爐腔內的壓強為4×10⁴-6×10⁴?Pa，再次抽真空至爐腔內壓強低于1?Pa?，如此重復3次確保管腔內殘余氧氣都被抽走后，往石英管中通入氬氣，保持氣體流速為30-60?sccm，并將腔內氣壓調至220-260?Pa?，密封真空管；開啟加熱裝置，以10-20?℃／分鐘的升溫速率，將所述真空管式爐的中心溫區加熱至所述前驅物的蒸發溫度，此時中心溫區的溫度為380-420?℃，生長襯底的溫度為100-200?℃；維持上述蒸發溫度10-60?分鐘后停止加熱，并使系統自然冷卻至室溫，然后向所述爐腔內通入氬氣至一個大氣壓，打開爐腔，即可在所述生長襯底上得到大面積有序交叉取向生長的一維有機納米線陣列。

3.根據權利要求1、2所述的制備有序一維有機納米線陣列的方法，其特征在于，制備所述一維有機納米線陣列的前驅體為能夠用于物理氣相沉積法進行納米結構生長的材料，所述步驟（1）、（2）中的所述襯底上的金薄膜以不連續納米顆粒膜的形式存在，在納米陣列結構生長起催化成核的作用。

4.根據權利要求1所述的制備有序一維有機納米線陣列的方法，其特征在于，所述步驟（2）中，向所述爐腔內通入非氧化性氣體至一個大氣壓時，為了防止突然涌入的大氣流破壞有機納米陣列結構，所通入的非氧化性氣體的流量不高于1O0sccm，所述步驟（2）中使所述真空管式爐中心溫區的溫度在酞菁銅納米線陣列生長時最優化溫度為415℃。

5.根據權利要求1、2所述的制備有序一維有機納米線陣列的方法，其特征在于，所述制備方法中所用的非氧化氣體為氮氣、氬氣或氫氬（體積比95?:?5?）混合氣體等，所述一維有機納米線陣列為酞菁銅納米線陣列、酞菁鈷納米線陣列、酞菁鋅納米線陣列、酞菁鐵納米線陣列、氟化酞菁銅納米線陣列和氟化酞菁鈷納米線陣列等酞菁類衍生物。