[發(fā)明專利]在光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210346611.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102881296A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·納塔拉延;E·P·博登;D·V·戴羅夫;E·M·金;陳國(guó)邦;V·K·帕魯楚魯;V·P·奧斯特羅弗霍夫;M·J·米斯納;J·E·皮克特;P·J·麥克羅斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號(hào): G11B7/0065
• 分類號(hào): G11B7/0065;G11B7/1353;G11B7/241;G11B7/245
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐晶;林森

1.在光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄全息數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括：

(i)提供包含以下各物的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)：(a)熱塑性聚合物基質(zhì)、(b)潛在酸發(fā)生劑、(c)非線性敏化劑和(d)包含潛在發(fā)色團(tuán)的反應(yīng)物；

(ii)用干涉圖案照射所述光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的體積單元，所述干涉圖案包括具有足以引起上能級(jí)三線態(tài)能量從所述非線性敏化劑轉(zhuǎn)移到所述潛在酸發(fā)生劑的波長(zhǎng)和強(qiáng)度的入射輻射，由此產(chǎn)生酸，

其中所述潛在酸發(fā)生劑對(duì)所述入射輻射基本沒(méi)有響應(yīng)；

(iii)使至少一種受保護(hù)的發(fā)色團(tuán)與所產(chǎn)生的酸反應(yīng)以形成至少一種發(fā)色團(tuán)，由此引起在所述體積單元內(nèi)的折射指數(shù)變化；和

(iv)在所述被照射的體積單元內(nèi)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述干涉圖案的折射指數(shù)變化，由此產(chǎn)生可光學(xué)讀取的數(shù)據(jù)。

2.權(quán)利要求1的方法，其中步驟(iii)包括使多種潛在發(fā)色團(tuán)與各種所產(chǎn)生的酸反應(yīng)以形成多種發(fā)色團(tuán)。

3.權(quán)利要求1的方法，其中所述入射輻射具有在約360納米-約500納米范圍內(nèi)的波長(zhǎng)和大于閾值的強(qiáng)度。

4.權(quán)利要求1的方法，其中所述入射輻射具有約405納米的波長(zhǎng)。

5.權(quán)利要求1的方法，其中所述潛在發(fā)色團(tuán)包含具有結(jié)構(gòu)式(I)的部分：

其中“a”為1-5的整數(shù)且“b”為1-4的整數(shù)；

R¹為保護(hù)基團(tuán)；

R²和R³在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為氫、鹵素、C₁-C₂₀脂族基團(tuán)、C₃-C₂₀脂環(huán)族基團(tuán)或C₂-C₃₀芳族基團(tuán)；

且R⁴為氫或OR¹。

6.權(quán)利要求1的方法，其中所述潛在發(fā)色團(tuán)包含具有如下結(jié)構(gòu)式的部分：

(II)

其中“a”為1-5的整數(shù)且“b”為1-4的整數(shù)；

R¹為保護(hù)基團(tuán)；

R²和R³在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為氫、鹵素、C₁-C₂₀脂族基團(tuán)、C₃-C₂₀脂環(huán)族基團(tuán)或C₂-C₃₀芳族基團(tuán)；

且R⁴為氫或OR¹。

7.權(quán)利要求1的方法，其中所述非線性敏化劑包括鉑乙炔基絡(luò)合物。

8.光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其包含：

(a)熱塑性聚合物基質(zhì)；

(b)能夠吸收具有足以引起上能級(jí)三線態(tài)激發(fā)的波長(zhǎng)和強(qiáng)度的入射輻射的非線性敏化劑；

(c)能夠在從所述非線性敏化劑三線態(tài)激發(fā)時(shí)產(chǎn)生酸且對(duì)所述入射輻射基本沒(méi)有響應(yīng)的潛在酸發(fā)生劑；

(d)包含潛在發(fā)色團(tuán)的反應(yīng)物，

其中至少一種潛在發(fā)色團(tuán)能夠通過(guò)與所產(chǎn)生的酸反應(yīng)形成至少一種發(fā)色團(tuán)，由此引起在所述光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中的折射指數(shù)變化。

9.權(quán)利要求8的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中多種潛在發(fā)色團(tuán)能夠?qū)τ诟鞣N所產(chǎn)生的酸形成多種發(fā)色團(tuán)。

10.權(quán)利要求8的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述潛在發(fā)色團(tuán)包含具有結(jié)構(gòu)式(I)的部分：

其中“a”為1-5的整數(shù)且“b”為1-4的整數(shù)；

R¹為保護(hù)基團(tuán)；

R²和R³在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為氫、鹵素、C₁-C₂₀脂族基團(tuán)、C₃-C₂₀脂環(huán)族基團(tuán)或C₂-C₃₀芳族基團(tuán)；

且R⁴為氫或OR¹。