[發明專利]一種MOM電容制造方法

無效

• 申請號: 201210345798.4
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102867735A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 張亮
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種MOM電容制造方法，用于增大MOM電容結構的電容密度；所述MOM電容結構包括電容區和銅互連區；所述MOM電容結構經薄膜沉積后形成刻蝕阻擋層、低介電常數的介質層和金屬硬掩膜層，所述金屬硬掩膜層包括緩沖層、掩膜層和上覆層；

其特征在于，具體包括：

步驟1，在所述緩沖層上生長一層與所述緩沖層同樣材質的刻蝕調整層,；

步驟2，定義出所述MOM電容所在區域的光罩；

步驟3，將所述MOM電容所在區域的刻蝕調整層去除；

步驟4，按照通用工藝進行所述MOM電容結構的通孔成形、金屬銅填充和化學機械研磨。

2.如權利要求1所述的MOM電容制造方法，其特征在于，采用化學氣相沉積的生長方式生成所述刻蝕調整層。

3.如權利要求1所述的MOM電容制造方法，其特征在于，采用原子層沉積的生長方式生成所述刻蝕調整層。

4.如權利要求1所述的MOM電容制造方法，其特征在于，采用低溫爐管熱生長的生長方式生成所述刻蝕調整層。

5.如權利要求1所述的MOM電容制造方法，其特征在于，將所述刻蝕調整層的厚度控制在5~500納米之間。

6.如權利要求2-5中任意一項所述的MOM電容制造方法，其特征在于，將所述刻蝕調整層和所述緩沖層組合形成緩沖調整層。

7.如權利要求6所述的MOM電容制造方法，其特征在于，所述緩沖調整層采用致密的介質材料制成。

8.如權利要求7所述的MOM電容制造方法，其特征在于，根據所述銅互連區與所述電容區的極板之間的厚度差，以及所述刻蝕調整層和所述介質層之間的刻蝕速率比，采用預設的算法確定所述緩沖調整層的厚度。

9.如權利要求8所述的MOM電容制造方法，其特征在于，將所述銅互連區的金屬硬掩膜刻蝕停止在刻蝕調整層表面。

10.如權利要求9所述的MOM電容制造方法，其特征在于，將所述電容區的金屬硬掩膜刻蝕停止在緩沖層上。