[發明專利]一種用于太陽能電池的發射極制作工藝有效
| 申請號: | 201210343324.6 | 申請日: | 2012-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102881766A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 李質磊;袁澤銳;盛雯婷;林洪峰;張鳳鳴 | 申請(專利權)人: | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 廖曾 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽能電池 發射極 制作 工藝 | ||
1.?一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:包括如下步驟:
步驟A:采用擴散工藝在基體硅片(1)表面制作PN結形成表層雜質分布層(2);
步驟B:對步驟A中的表層雜質分布層(2)進行氧化處理,在表層雜質分布層(2)表面快速生長一層均勻分布的氧化層(3);
步驟C:將步驟B中的氧化層(3)去除。
2.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:所述擴散工藝為:選取POCL3液態源進行擴散。
3.?根據權利要求2所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:所述POCL3液態源擴散的方式是:利用高純氮氣通入到液態POCL3底部鼓泡,使得鼓泡攜帶POCL3通入到高溫爐管內部與氧氣和硅片進行反應生成P原子擴散進入硅片表面形成N型層。
4.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:所述氧化處理的方法為高溫濕氧氧化。
5.?根據權利要求4所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:高溫濕氧氧化的過程為:將步驟A處理后的基體硅片(1)放在密閉的高溫爐中,然后通入高溫水蒸氣,通過水蒸氣與硅片表面擴散層之間的反應來快速生長氧化層。
6.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:步驟C中的氧化層(3)去除方法為:將步驟B之后的基體硅片(1)放在氫氟酸溶液中,待氫氟酸溶液與氧化層(3)反應后取出。
7.?根據權利要求1-6中任意一項所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:步驟A后的基體硅片(1)方阻比步驟B后的基體硅片(1)方阻低5ohm-30ohm。
8.?根據權利要求1-6中任意一項所述的一種用于太陽能電池的發射極制作工藝,其特征在于:步驟B后的基體硅片(1)方阻在60ohm-120ohm范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





