[發(fā)明專利]壓控振蕩器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210343283.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-09-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103166573A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂盈達(dá);廖顯原;顏孝璁;陳和祥;周淳樸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03B5/18 | 分類號(hào)： | H03B5/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓控振蕩器 | ||
1.一種壓控振蕩器(VCO)電路，包括：
第一晶體管；
第二晶體管；
第一諧振電路；
第二諧振電路；
第一電流路徑；以及
第二電流路徑，
其中
所述第一晶體管的漏極連接至所述第二晶體管的柵極以及所述第一諧振電路的第一端；
所述第一晶體管的源極連接至所述第一電流路徑以及所述第二諧振電路的第一端；
所述第二晶體管的漏極連接至所述第一晶體管的柵極以及所述第一諧振電路的第二端；以及
所述第二晶體管的源極連接至所述第二電流路徑以及所述第二諧振電路的第二端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCO電路，進(jìn)一步包括：
第三晶體管；以及
第四晶體管，
其中，
所述第三晶體管的漏極連接至所述第四晶體管的柵極以及所述第一諧振電路的所述第一端；以及
所述第四晶體管的漏極連接至所述第三晶體管的柵極以及所述第一諧振電路的所述第二端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VCO電路，其中
所述第一晶體管和所述第二晶體管是N-型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管，并且所述第三晶體管和所述第四晶體管是P-型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管；或者
所述第一晶體管和所述第二晶體管是PMOS晶體管，并且所述第三晶體管和所述第四晶體管是NMOS晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCO電路，其中
所述第一電流路徑和/或所述第二電流路徑由晶體管或電流源形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCO電路，其中
所述第二諧振電路被配置成在VCO電路的振蕩頻率處提供低阻抗，并且在所述VCO電路的低頻、閃爍頻率、和/或二次諧波頻率處提供高阻抗；或者
所述第二諧振電路被配置成在所述VCO電路的振蕩頻率處用作電短路電路，并且在所述VCO電路的低頻、閃爍頻率、和/或二次諧波頻率處用作電開(kāi)路電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCO電路，其中
所述第二諧振電路包括至少一個(gè)電容器件和至少一個(gè)電感器件；
所述至少一個(gè)電容器件的有效電容與所述至少一個(gè)電感器件的有效電感串聯(lián)電連接；以及
如果ωosc表示所述VCO電路的角振蕩頻率，Leff表示所述有效電感，并且Ceff表示所述有效電容，則所述第二諧振電路被配置成滿足以下等式：
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