[發明專利]一種零層對準標記的補刻蝕方法有效
| 申請號： | 201210341696.5 | 申請日： | 2012-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102891079A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 楊渝書;李程;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 對準 標記 刻蝕 方法 | ||
1.一種零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：灰化去除沉積在一襯底硅片上的刻蝕阻擋層上涂布的光刻膠；
S2：利用化學清洗方法去除所述剩余的光刻膠；
S3:?利用原子力顯微鏡量測在所述刻蝕阻擋層和所述襯底硅片上刻蝕形成的溝槽已刻蝕的深度；?
S4：將所述刻蝕阻擋層和所述襯底硅片上刻蝕形成的所述溝槽規定需達到的深度減去量測出的所述刻蝕阻擋層和所述襯底硅片上刻蝕形成的所述溝槽已刻蝕的深度，再除以化學干法刻蝕機臺的硅刻蝕速率得出達到規定的所述溝槽深度剩余的刻蝕時間；
S5：以所述刻蝕阻擋層為掩膜，利用所述化學干法刻蝕機臺對所述刻蝕阻擋層和所述襯底硅片上刻蝕形成的所述溝槽進行補刻蝕，所述補刻蝕的時間為計算出的所述剩余的刻蝕時間；
S6：再利用原子力顯微鏡量測進行所述補刻蝕后的所述溝槽的深度。
2.根據權利要求1所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氧化硅。
3.根據權利要求2所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述氧化硅為135?。
4.根據權利要求1所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，作為掩膜的所述刻蝕阻擋層的刻蝕速率為80?/min。
5.根據權利要求4所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，作為掩膜的所述刻蝕阻擋層損失控制在0-50?范圍內。
6.根據權利要求1所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述光刻膠為1.4um。
7.根據權利要求1所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述化學干法刻蝕機臺是利用微波產生刻蝕等離子體。
8.根據權利要求7所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述化學干法刻蝕機臺的硅刻蝕速率為2500?/min。
9.根據權利要求1所述的零層對準標記的補刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層和所述襯底硅片上刻蝕形成的所述溝槽規定需刻蝕深度范圍為1350?—1450?。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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