[發(fā)明專利]PH傳感器及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210339594.X | 申請日： | 2012-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN102998336A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬蒂亞斯·梅茲;科恩·塔克;羅曼諾·胡夫曼 | 申請（專利權(quán)）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ph 傳感器 制造 方法 | ||
1.一種pH傳感器，包括：
載體(10)，所述載體包括多個導(dǎo)電跡線和外露的導(dǎo)電區(qū)域(40)，所述外漏的導(dǎo)電區(qū)域定義了與所述導(dǎo)電跡線之一相連的參考電極；
感測裝置(30)，安裝在所述載體上并且與其他導(dǎo)電跡線中的至少一個相連；
覆蓋所述載體的封裝(20)，所述封裝包括使所述感測裝置的表面(32)外露的第一腔體(22)以及使所述外露的導(dǎo)電區(qū)域外露的第二腔體(24)，所述第二腔體包括參考電極材料(42)和與所述參考電極材料共享至少一種離子類型的離子儲存材料(44)，所述參考電極材料夾在所述外露的導(dǎo)電區(qū)域與所述離子儲存材料之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pH傳感器，還包括所述第二腔體上方的不可透過層(46、48)，所述不可透過層對離子儲存材料(44)中的離子類型是不可透過的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的pH傳感器，還包括：
第一接觸焊盤(16)，經(jīng)由其他所述導(dǎo)電跡線(12)之一與所述感測裝置(30)相連；以及
第二接觸焊盤，經(jīng)由所述導(dǎo)電跡線之一與外露的導(dǎo)電區(qū)域(40)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的pH傳感器，其中所述感測裝置(30)包括收發(fā)器，所述pH傳感器還包括在所述載體(10)上的天線(50)，所述天線與其他所述導(dǎo)電跡線(12)中的所述至少一個相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的pH傳感器，其中所述外露的導(dǎo)電區(qū)域(40)經(jīng)由所述導(dǎo)電跡線之一(12’)連接至所述感測裝置(30)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的pH傳感器，其中所述封裝(20)還包括流體通道(26)，所述流體通道從所述封裝的邊緣橫向延伸至所述第二腔體(24)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的pH傳感器，其中所述封裝(20)還包括另一個流體通道(28)，所述另一個通道從所述邊緣橫向延伸至所述第一腔體(22)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的pH傳感器，其中所述載體(10)是印刷電路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的pH傳感器，其中所述感測裝置(30)包括離子敏感場效應(yīng)晶體管，其柵極(32)外露在所述第一腔體(22)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的pH傳感器，還包括銳利的尖端(21)，用于將所述pH傳感器插入物質(zhì)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的pH傳感器，其中所述外露的導(dǎo)電區(qū)域(40)包括鍍金銅層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的pH傳感器，其中所述參考電極材料包括Ag和AgCl以及所述離子儲存材料包括氯離子。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的pH傳感器，還包括所述第二腔體上方的離子選擇膜(46、48)，所述膜對離子儲存材料(44)中的離子類型是不可透過的。
14.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的pH傳感器的方法，包括：
提供載體，在其表面上有多個導(dǎo)電跡線，與所述導(dǎo)電跡線之一相連的外露的導(dǎo)電區(qū)域以及另一個外露的導(dǎo)電區(qū)域；
將集成電路管芯固定至所述另一個外露的導(dǎo)電區(qū)域，所述集成電路管芯包括外露的對pH敏感的表面；
將所得到的結(jié)構(gòu)封裝在保護性樹脂中；
在所述保護性樹脂中形成第一腔體和第二腔體，所述第一腔體使所述對pH敏感的表面外露以及所述第二腔體使所述外露的導(dǎo)電區(qū)域外露；
在所述外露的導(dǎo)電區(qū)域上沉積參考電極材料；以及
在所述參考電極材料上沉積離子儲存材料(44)，所述離子儲存材料與所述參考電極材料共享至少一種離子類型。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中同時執(zhí)行所述封裝步驟和所述腔體形成步驟。
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