[發明專利]掩膜及其制造方法無效
| 申請號: | 201210336373.7 | 申請日: | 2012-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN102841501A | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發明(設計)人: | 吳泰必 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/90 | 分類號: | G03F1/90 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 歐陽啟明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 及其 制造 方法 | ||
1.一種掩膜,其特征在于,包括:
第一子掩膜,所述第一子掩膜的一側邊緣具有第一結構;
第二子掩膜,所述第二子掩膜的一側邊緣具有第二結構;
所述第一子掩膜和所述第二子掩膜并列設置于一起,所述第一子掩膜與所述第二子掩膜位于同一平面,所述第一結構與所述第二結構為互補的結構。
2.根據權利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述第一子掩膜具有第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面背向,所述第二子掩膜具有第三表面和第四表面,所述第三表面和所述第四表面背向,所述第一子掩膜和所述第二子掩膜并列設置于一起,并且所述第一子掩膜的第一表面和所述第二子掩膜的第三表面位于同一平面,所述第一子掩膜的第二表面和所述第二子掩膜的第四表面位于同一平面。
3.根據權利要求2所述的掩膜,其特征在于,所述第一結構和所述第二結構為在第一方向上互補的結構,所述第一方向為垂直于所述第一表面的方向,所述第一子掩膜的第一結構與所述第二子掩膜的第二結構在第一方向上重疊。
4.根據權利要求3所述的掩膜,其特征在于,所述第一結構為卡扣,所述第二結構為卡扣凹槽。
5.根據權利要求2所述的掩膜,其特征在于,所述第一結構和所述第二結構為在第二方向上互補的結構,所述第二方向為平行于所述第一子掩膜的中心和所述第二子掩膜的中心連線的方向,所述第一子掩膜的第一結構與所述第二子掩膜的第二結構在第二方向上重疊。
6.根據權利要求5所述的掩膜,其特征在于,所述第一結構為具有扣鉤的齒狀突塊,所述第二結構為具有扣鉤凹槽的齒狀凹陷。
7.一種掩膜的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(A)提供第一子掩膜和第二子掩膜,所述第一子掩膜的一側邊緣具有第一結構,所述第二子掩膜的一側邊緣具有第二結構,所述第一結構與所述第二結構為互補的結構;
(B)將所述第一子掩膜和所述第二子掩膜拼接為一體,使得所述第一子掩膜與所述第二子掩膜位于同一平面,所述第一子掩膜的第一結構和所述第二子掩膜的第二結構重疊。
8.根據權利要求7所述的掩膜的制造方法,其特征在于,所述步驟(A)還包括以下步驟:
(a1)定義所述第一結構的形狀和位置以及所述第二結構的形狀和位置,使得所述第一結構與所述第二結構為互補的結構;
(a2)在所述第一子掩膜上形成所述第一結構,以及在所述第二子掩膜上形成所述第二結構。
9.根據權利要求8所述的掩膜的制造方法,其特征在于,所述第一子掩膜的第一結構與所述第二子掩膜的第二結構在第一方向上重疊,所述第一方向為垂直于所述第一表面的方向,所述第一結構為卡扣,所述第二結構為卡扣凹槽。
10.根據權利要求8所述的掩膜的制造方法,其特征在于,所述第一子掩膜的第一結構與所述第二子掩膜的第二結構在第二方向上重疊,所述第二方向為平行于所述第一子掩膜的中心和所述第二子掩膜的中心的連線的方向,所述第一結構為具有扣鉤的齒狀突塊,所述第二結構為具有扣鉤凹槽的齒狀凹陷。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





