[發(fā)明專利]一種改善SONOS結構器件性能的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210333709.4 | 申請日： | 2012-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN102832175A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田志;顧經綸 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 sonos 結構 器件 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善SONOS結構器件性能的方法，所述SONOS結構包括襯底，隧穿介質層，電荷存儲層，阻擋介質層和導電層，所述襯底內包括一源極和一漏極，所述隧穿介質層、電荷存儲層、阻擋介質層和導電層按順序自下而上設置在所述襯底上，其特征在于，
采用緩變的氮化硅層組成所述電荷存儲層，所述緩變的氮化硅層自下而上由富氮氮化硅的深能級向富硅氮化硅的淺能級漸變。
2.如權利要求1所述的改善SONOS結構器件性能的方法，其特征在于，采用硅材料制成所述襯底。
3.如權利要求1所述的改善SONOS結構器件性能的方法，其特征在于，采用氧化硅材料制成所述隧穿介質層和所述阻擋介質層。
4.如權利要求1所述的改善SONOS結構器件性能的方法，其特征在于，采用多晶硅柵極組成所述導電層。
5.如權利要求4所述的改善SONOS結構器件性能的方法，其特征在于，將所述隧穿介質層、所述電荷存儲層、所述阻擋介質層和所述多晶硅柵極的上表面設置為凸面。
6.如權利要求5所述的改善SONOS結構器件性能的方法，其特征在于，將所述隧穿介質層、所述電荷存儲層、所述阻擋介質層和所述多晶硅柵極的下表面設置為凸面。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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