[發明專利]暖白光發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201210331791.7
• 申請日: 2012-09-10
• 公開（公告）號: CN102820416A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 吳超瑜;陳斌;邱姝潁;陳凱蒂;謝建元;蔡文必
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.暖白光發光二極管，包括：焊合層，其具有兩個主表面；紅光晶片鏡面系統，位于所述焊合層的第一個主表面之上，所述紅光晶片鏡面系統包括紅光晶片和第一反射層；藍光晶片鏡面系統，位于所述焊合層的第二個主表面之上，所述藍光晶片鏡面系統包括藍光晶片和第二反射層；利用第一反射層與第二反射層區隔紅光晶片與藍光晶片，避免相互吸收。

2.根據權利要求1所述的暖白光發光二極管，其特征在于：紅光晶片的下表面面積小于或等于藍光晶片的上表面面積的三分之一。

3.根據權利要求1所述的暖白光發光二極管，其特征在于：所述藍光晶片的上表面上覆蓋一層黃色熒光粉，所述第二反射層位于未涂覆黃色熒光粉的藍光晶片表面上。

4.根據權利要求1所述的暖白光發光二極管，其特征在于：第一反射層為金屬反射層或者介電層或者前兩者的結合。

5.根據權利要求1所述的暖白光發光二極管，其特征在于：第二反射層為金屬反射層或者介電層或者前兩者的結合。

6.暖白光發光二極管的制作方法，包括：將紅光晶片鏡面系統與藍光晶片鏡面系統通過焊合層組合在一起，其特征在于：所述紅光晶片鏡面系統包括紅光晶片和第一反射層；所述藍光晶片鏡面系統包括藍光晶片和第二反射層，利用第一反射層與第二反射層區隔紅光晶片與藍光晶片，避免相互吸收。

7.根據權利要求6所述的暖白光發光二極管的制作方法，其特征在于：紅光晶片的下表面面積占據藍光晶片的上表面面積小于或者等于三分之一。

8.根據權利要求6所述的暖白光發光二極管的制作方法，其特征在于：焊合層組合方式為晶片鍵合或電鍍粘合。

9.根據權利要求6所述的發光二極管的制作方法，包括步驟：

先在生長襯底上從下至上依次外延生長n型限制層、發光層和p型限制層，并制作P電極，再將p型限制層形成粗化結構；

將上述粗化結構轉移至臨時襯底上；

移除生長襯底，裸露n型限制層表面，形成紅光晶片；

在裸露的n型限制層表面上形成第一反射層結構；

在永久襯底上從下至上依次外延生長n型限制層、發光層、p型限制層，并制作第二反射層和N電極，再將p型限制層形成粗化結構；

將紅光晶片與藍光晶片通過焊合層組合在一起，焊合層的上表面設置有第一反射層，下表面設置有第二反射層；

移除臨時襯底，完成暖白光LED的制作。

10.根據權利要求6所述的發光二極管的制作方法，包括步驟：

先在生長襯底上從下至上依次外延生長n型限制層、發光層、p型限制層和透明導電層，并制作P電極，再將透明導電層形成粗化結構；

將上述粗化結構轉移至臨時襯底上；

移除生長襯底，裸露n型限制層表面，形成紅光晶片；

在裸露的n型限制層表面上形成第一反射層結構；

在永久襯底上從下至上依次外延生長n型限制層、發光層、p型限制層，并制作第二反射層和N電極，再將p型限制層形成粗化結構；

將紅光晶片與藍光晶片通過焊合層組合在一起，焊合層的上表面設置有第一反射層，下表面設置有第二反射層；

移除臨時襯底，完成暖白光LED的制作。