[發(fā)明專利]晶圓減薄方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210328714.6
• 申請(qǐng)日: 2012-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN102832223A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林峰;洪齊元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圓，并對(duì)所述器件晶圓執(zhí)行晶邊剪切工藝；

在器件晶圓正面和晶邊形成氧化層；

將器件晶圓與承載晶圓貼合，其中器件晶圓的正面氧化層位于所述器件晶圓和承載晶圓之間；

分別利用SPINETCH-D和HNA對(duì)器件晶圓背面和器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行兩道刻蝕工藝；

利用選擇腐蝕液對(duì)所述器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行刻蝕工藝，其中，所述選擇腐蝕液對(duì)氧化層的刻蝕速率大于對(duì)器件晶圓的刻蝕速率。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在器件晶圓正面和晶邊形成氧化層之后，將器件晶圓與承載晶圓貼合之前，還包括：

對(duì)器件晶圓氧化層執(zhí)行CMP工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在將器件晶圓與承載晶圓貼合之后，分別利用SPINETCH-D和HNA對(duì)器件晶圓背面和器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行兩道刻蝕工藝之前，還包括：

對(duì)器件晶圓背面執(zhí)行研磨工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述選擇腐蝕液為氫氟酸溶液。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液為質(zhì)量百分比濃度為49%的氫氟酸溶液。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓減薄方法，其特征在于，利用選擇腐蝕液對(duì)所述器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行刻蝕工藝的工藝溫度為45℃。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓減薄方法，其特征在于，利用選擇腐蝕液對(duì)所述器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行刻蝕工藝的工藝時(shí)間為20秒~60秒。

8.如權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的晶圓減薄方法，其特征在于，利用選擇腐蝕液對(duì)所述器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行刻蝕工藝中，去除的氧化層的厚度為1.5um~2um。

9.如權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的晶圓減薄方法，其特征在于，分別利用SPINETCH-D和HNA對(duì)器件晶圓背面和器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行兩道刻蝕工藝中，去除的器件晶圓的厚度為15um~30um。

10.如權(quán)利要求9所述的晶圓減薄方法，其特征在于，分別利用SPINETCH-D和HNA對(duì)器件晶圓背面和器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行兩道刻蝕工藝的總的工藝時(shí)間為1.5分鐘~7.5分鐘。

11.如權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述選擇腐蝕液為BOE溶液。

12.如權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的晶圓減薄方法，其特征在于，利用選擇腐蝕液對(duì)多片器件晶圓的晶邊氧化層同時(shí)執(zhí)行刻蝕工藝。

13.如權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在利用選擇腐蝕液對(duì)所述器件晶圓的晶邊氧化層執(zhí)行刻蝕工藝之后，還利用NH₄OH和H₂O₂混合液對(duì)器件晶圓進(jìn)行清洗。