[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210328332.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103021326A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文俊;廖文堆;王宗裕;蘇國(guó)彰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的電路包含：

一驅(qū)動(dòng)單元，用以提供該發(fā)光元件一驅(qū)動(dòng)電流；

一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元，用以紀(jì)錄所述的驅(qū)動(dòng)單元的臨界電壓及目前狀態(tài)下的一數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；以及

一電致控制單元受控于一發(fā)光周期中導(dǎo)通，使得所述的驅(qū)動(dòng)單元反應(yīng)所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元所儲(chǔ)存的所述的臨界電壓及所述的目前狀態(tài)下的一數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，以產(chǎn)生所述的驅(qū)動(dòng)電流。

2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的電路更包含一初始控制單元，用以控制所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元保持在初始的低準(zhǔn)位狀態(tài)，以確保數(shù)據(jù)信號(hào)電壓得以正確寫(xiě)入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元，而不會(huì)受到前一狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓所影響。

3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的驅(qū)動(dòng)單元包含一驅(qū)動(dòng)晶體管，用以依據(jù)透過(guò)輸入至所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元的所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，提供所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電流。

4.如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元包含一數(shù)據(jù)寫(xiě)入晶體管、一采集晶體管及一電容，所述的電容用以?xún)?chǔ)存施加至所述的驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓及所述的驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓；所述的數(shù)據(jù)寫(xiě)入晶體管受控于目前掃描線信號(hào)而致動(dòng)時(shí)，將相關(guān)數(shù)據(jù)線的所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓施加到所述的電容的一第一端；所述的采集晶體管與所述的驅(qū)動(dòng)晶體管連接共同形成一二極體連接組態(tài)，并且在所述的采集晶體管受控于目前掃描線信號(hào)而致動(dòng)時(shí)，將驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓施加到所述的電容的一第二端。

5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述電致控制單元包含一電致晶體管及一控制晶體管，所述的電致晶體管受控于目前電致信號(hào)而致動(dòng)，并提供透過(guò)所述的驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生給發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流；所述的控制晶體管受控于所述的目前電致信號(hào)而致動(dòng)，并將所述的電容的第一端耦接至一參考電位端。

6.一種發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電路包含：

一發(fā)光元件，用以流通一驅(qū)動(dòng)電流；

一第一晶體管，受控于一第一掃描線信號(hào)；

一第二晶體管，受控于一數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)電流；

一電容，儲(chǔ)存所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓及所述的第二晶體管的臨界電壓；

一第三晶體管，受控于一第二掃描線信號(hào)，以接收所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，且用以將所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓施加到所述的電容的一第一端；

一第四晶體管，受控于一第一電致信號(hào)，以提供所述的第二晶體管產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流至所述的發(fā)光元件；以及

一第五晶體管，受控于一第二電致信號(hào)，以耦接所述的電容的所述的第一端至一接地端；

其中所述的第一晶體管依據(jù)所述的第一掃描線信號(hào)將所述的第二晶體管的臨界電壓施加到所述的電容的一第二端，且耦接所述的第二晶體管形成一二極體連接組態(tài)，以偵測(cè)所述的第二晶體管的臨界電壓偏離。

7.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述電路更包含一第六晶體管用以重置所述的電容的電位。

8.如權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，對(duì)所述的第電容重置的方式包含有：

一第一重置階段，將所述的第二電致信號(hào)設(shè)為低位準(zhǔn)，控制所述的第五晶體管導(dǎo)通，以讓所述的電容接地；以及

一第二重置階段，將所述的第二電致信號(hào)設(shè)為高位準(zhǔn)，控制所述的第五晶體管關(guān)閉，所述的第六晶體管導(dǎo)通，所述的電容的電位被拉至一預(yù)設(shè)位準(zhǔn)。

9.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第一掃描線信號(hào)與所述的第二掃描線信號(hào)均為目前掃描線信號(hào)，且所述的第一電致信號(hào)與所述的第二電致信號(hào)均為目前電致信號(hào)。

10.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管系由一P型薄膜晶體管構(gòu)成，其漏極與源極分別耦接所述的第二晶體管的柵極與漏極、且所述的第一掃描線信號(hào)施加至所述的第一晶體管的柵極；所述的第二晶體管系由一P型薄膜晶體管構(gòu)成，其源極耦接一電源電壓、漏極耦接所述的發(fā)光元件、柵極耦接所述的第一晶體管的漏極以形成一第一節(jié)點(diǎn)；所述的電容的所述的第二端耦接所述的第一節(jié)點(diǎn)，且所述的三晶體管系由一P型薄膜晶體管構(gòu)成，其源極耦接所述的電容的所述的第一端以形成一第二節(jié)點(diǎn)、所述的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓施加至其漏極、且所述的第二掃描線信號(hào)施加至其柵極。