[發(fā)明專利]一種改善出光率的發(fā)光二極管倒裝芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210328328.7 | 申請日： | 2012-09-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103682004A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭翔;趙漢民;張璟 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/10 | 分類號(hào)： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330029 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 出光率 發(fā)光二極管 倒裝 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底上形成的InGaAlN多層結(jié)構(gòu)，所述InGaAlN多層結(jié)構(gòu)從下至上包括N型GaN層、有源層和P型GaN層，在所述P型GaN層上形成的去除器件邊緣的Ag層，在Ag層表面形成的保護(hù)金屬層，在保護(hù)金屬層表面部分區(qū)域刻蝕直至暴露出N型GaN層形成的N電極孔，形成于所述N電極孔中的金屬N電極，形成于保護(hù)金屬層上的鈍化層，形成于N電極孔側(cè)壁和金屬N電極之間的鈍化層，其特征在于：所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括形成在器件邊緣的金屬反射層，所述器件邊緣的金屬反射層位于P型GaN層和保護(hù)金屬層之間，覆蓋了Ag層被去除的邊緣區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括形成在N電極孔邊緣的金屬反射層，所述N電極孔邊緣的金屬反射層位于N電極孔邊緣的P型GaN層和保護(hù)金屬層之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述金屬反射層的材料為Al。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述保護(hù)金屬層的材料為Ti/W合金。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體發(fā)光器件具有多個(gè)呈陣列狀排列的N電極孔。
6.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述N電極孔的形狀為圓形、四邊形、六邊形中的一種或多種。
7.一種制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，包括以下步驟：
在藍(lán)寶石襯底上制備InGaAlN多層結(jié)構(gòu)，所述InGaAlN多層結(jié)構(gòu)從下至上包括N型GaN層、有源層和P型GaN層；
在所述P型GaN層上形成Ag層；
去除器件邊緣的Ag層；
在器件邊緣形成金屬反射層；
在Ag層表面制備保護(hù)金屬層；
在保護(hù)金屬層表面部分區(qū)域刻蝕直至暴露出N型GaN層，形成N電極孔；
在保護(hù)金屬表面，反射金屬層表面和N電極孔內(nèi)側(cè)壁制備鈍化層；
在N電極孔中制備金屬N電極。
8.如權(quán)利要求8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法還包括在N電極孔的邊緣制備金屬反射層。
9.如權(quán)利要求7或8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述金屬反射層的材料為Al。
10.如權(quán)利要求7或8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述形成金屬反射層工藝為蒸鍍或?yàn)R射。
11.如權(quán)利要求7或8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述形成N電極孔的過程包括，在Ag層表面部分區(qū)域刻蝕至暴露P型GaN層而形成孔；在孔內(nèi)及Ag層表面沉積保護(hù)金屬層；刻蝕孔內(nèi)的保護(hù)金屬層使P型GaN層露出，并在Ag層側(cè)壁保留一層保護(hù)金屬層；在孔內(nèi)使用ICP干法刻蝕至暴露N型GaN層形成N電極孔。
12.如權(quán)利要求7或8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述形成N電極孔的過程包括，在Ag層表面部分區(qū)域刻蝕至暴露P型GaN層形成孔；在孔內(nèi)及Ag層表面沉積保護(hù)金屬層；使用ICP干法刻蝕至暴露N型GaN層，并在Ag層側(cè)壁保留一層保護(hù)金屬層，形成N電極孔。
13.如權(quán)利要求7或8所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其特征在于：所述的制備半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法進(jìn)一步包括，完成制備器件后將器件倒裝到基板上，然后采用激光剝離的方法去除藍(lán)寶石襯底。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晶能光電(江西)有限公司，未經(jīng)晶能光電(江西)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210328328.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：功率半導(dǎo)體器件及其制造方法
- 下一篇：磁致彈性的扭矩傳感器
