[發明專利]發光二極管陣列

在審

• 申請號: 201210328231.6
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN103681724A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 楊宗憲;巫漢敏;王志賢;陳怡名;徐子杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一發光二極管陣列，其特征在于：該發光二極管陣列包括一第一發光二極管、一第二發光二極管及一第二隔絕道；該第一發光二極管包括一第一區域、一第二區域、一第一隔絕道及一電極連接層；該第一隔絕道位于該第一區域與該第二區域之間，且包括一電極絕緣層；該電極連接層包覆該第一區域；該第二發光二極管包括一半導體疊層及一焊接墊；該焊接墊位于該半導體疊層之上；該第二隔絕道位于該第一發光二極管與該第二發光二極管之間，且包括一電性連接結構，其中部分的該電性連接結構位于該第二隔絕道內且電性連接該第一發光二極管與該第二發光二極管，其中該第一區域、該第二區域及該半導體疊層各包含：一第一導電型半導體層、一活性層及一第二導電型半導體層。

2.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：更包括一基板形成在該第一區域、該第二區域及該半導體疊層之下。

3.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：其中該電極連接層覆蓋該第一區域的該第二導電型半導體層的一側壁以及覆蓋該第一區域的活性層的一側壁。

4.如權利要求2所述的發光二極管陣列，其特征在于：更包括一接合層，該接合層位于該基板與該第一區域、該第二區域及該半導體疊層之間。

5.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第二隔絕道更包括一絕緣結構。

6.如權利要求4所述的發光二極管陣列，其特征在于：更包括一電性連接層，該電性連接層位于該接合層與該第一區域、該第二區域及該半導體疊層之間，且該電極連接層與該第一區域的第一導電型半導體層通過該電性連接層形成歐姆接觸。

7.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該電極連接層與該第一發光二極管的該第一導電型半導體層電性連接且延伸至該第一隔絕道中；該焊接墊與該半導體疊層的該第二導電型半導體層電性連接。

8.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該電極連接層及該焊接墊各包括一上表面，且該電極連接層的該上表面及該焊接墊的該上表面位于相同的水平高度。

9.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第一區域與該第二區域的距離不小于25μm。

10.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第二區域及該半導體疊層各包括一上表面，且該上表面為一粗化表面。

11.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第一發光二極管與該第二發光二極管電性連接為串聯。

12.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第一隔絕道分隔該第一區域的第二導電型半導體層與該第二區域的第二導電型半導體層、分隔該第一區域的活性層與該第二區域的活性層，且并未分隔該第一區域的第一導電型半導體層與該第二區域的第一導電型半導體層。

13.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該第二隔絕道分隔該第二區域的該第二導電型半導體層與該第二發光二極管的該第二導電型半導體層、分隔該第二區域的該活性層與該第二發光二極管的該活性層以及分隔該第二區域的該第一導電型半導體層與該第二發光二極管的該第一導電型半導體層。

14.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該電極絕緣層位于該第二區域的該第二導電型半導體層的一側壁上以及位于該第二區域的該活性層的一側壁上。

15.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于：該電極連接層包覆該第一區域的該第二導電型半導體層的一上表面并延伸至該第一隔絕道且覆蓋該第一區域的該第二導電型半導體層的一側壁以及覆蓋該第一區域的該活性層的一側。