[發明專利]絕緣包覆用粒子、絕緣包覆導電粒子、各向異性導電材料及連接結構體

在審

• 申請號: 201210326220.4
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN103030728A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 渡邊優;高井健次;永原憂子
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: C08F212/08
• 分類號: C08F212/08;C08F212/36;C08F220/18;C08F8/42;H01B5/00;H01B1/22;H01R4/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種絕緣包覆用粒子，其為用于包覆表面包含具有導電性的金屬的基材粒子而形成絕緣包覆導電粒子的絕緣包覆用粒子，

其具備具有核粒子以及殼層的核殼結構，

所述核粒子包含有機高分子，

所述殼層包含具有選自由SiO_4/2單元、RSiO_3/2單元和R₂SiO_2/2單元所組成的組中的至少一種單元的有機硅系化合物，這里，所述R表示選自由碳數為1～4的烷基、碳數為6～24的芳香族基團、乙烯基以及γ－（甲基）丙烯酰氧基丙基所組成的組中的至少一種。

2.如權利要求1所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述殼層具備對所述基材粒子具有結合性的官能團。

3.如權利要求2所述的絕緣包覆用粒子，其中，對所述基材粒子具有結合性的官能團為環氧基或縮水甘油基。

4.如權利要求1～3中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述殼層通過具有環氧基或縮水甘油基的有機硅低聚物進行了處理。

5.如權利要求1～4中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述殼層的厚度為1～150nm。

6.如權利要求1～4中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述殼層由僅具有SiO_4/2單元的有機硅系化合物構成，所述殼層的厚度為1～50nm。

7.如權利要求1～6中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其平均粒徑為1μm以下，并且粒徑的變化系數為10%以下。

8.如權利要求1～7中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其吸濕率為5質量%以下。

9.如權利要求1～8中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其溶出銨離子濃度為100ppm以下。

10.如權利要求1～9中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述殼層通過以叔胺或磺酸化合物作為催化劑的反應而形成。

11.如權利要求1～10中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述核粒子的表面具有氨基或羧基。

12.如權利要求1～11中任一項所述的絕緣包覆用粒子，其中，所述核粒子具有雙離子性的官能團。

13.一種絕緣包覆導電粒子，其具備權利要求1～12中任一項所述的絕緣包覆用粒子和通過所述絕緣包覆用粒子而包覆了表面至少一部分的基材粒子。

14.一種各向異性導電材料，其具備絕緣性的粘合劑樹脂和分散在所述絕緣性的粘合劑樹脂中的權利要求13所述的絕緣包覆導電粒子。

15.一種連接結構體，其具備對向配置的一對電路部件和連接部，所述連接部由權利要求14所述的各向異性導電材料的固化物形成，并且按照介于所述一對電路部件之間、將各電路部件所具有的電路電極彼此電連接的方式粘接該電路部件彼此。