[發(fā)明專利]不同線密度的一維硅納米線的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210325381.1 | 申請日： | 2012-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102815701A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姬廣斌;劉有松;汪俊逸;梁渲祺;張興淼 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 不同 密度 一維硅 納米 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種不同線密度的一維硅納米線的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
a、硅片的預(yù)處理：硅片經(jīng)清洗后，浸入氫氟酸溶液中去除表面的氧化層，并用氫氣吹干；
b、金屬催化刻蝕法制備一維硅納米線陣列，分以下兩步：
第一步，沉積銀納米顆粒：將經(jīng)預(yù)處理的硅片于HF-AgNO3的混合水溶液中浸漬20～40s，其中HF的濃度為0.1～0.2mol/L，AgNO3的濃度為0.008～0.012mol/L；
第二部，金屬輔助刻蝕：將第一步得到硅片浸入HF-H2O2的混合刻蝕液中，并在室溫下刻蝕20～40min；
c、后處理：將刻蝕完的硅片置于HNO3溶液中，去除沉積的Ag粒子，然后用去離子水清洗，最后在60℃下干燥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述不同線密度的一維硅納米線的制備方法，其特征在于：所述HF-H2O2的混合刻蝕液中各組分的體積百分比如下：20%的HF、10～30%的H2O2，以及余量的水。
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