[發明專利]一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法有效
| 申請號： | 201210324971.2 | 申請日： | 2012-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102832303A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 鄭建森;林素慧;彭康偉;洪靈愿 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 鎵基高 亮度 發光二極管 制作方法 | ||
1.一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：制作步驟如下：
提供生長襯底，在其上生長發光外延層；
在所述外延層上生長保護層，構成LED晶片；
在所述晶片正面垂直于襯底平邊的方向上形成縱向溝道，使得LED晶片暴露出縱向側壁；
在與所述縱向溝道相交的方向上，采用隱形切割從正面穿透劃出橫向溝道，使得LED橫向側壁獲得一系列不貫通的孔洞結構；
采用濕法蝕刻對上述縱向側壁和橫向側壁進行腐蝕，使得LED晶片縱向側壁獲得一系列貫通的孔洞結構，由于溶液的流動貫穿作用，所述橫向側壁不貫通的孔洞結構腐蝕后呈貫通的孔洞結構；
去除保護層；
在外延層表面上制作透明導電層及?P、N電極；
經過研磨、劈裂工藝，得多個發光二極管芯粒。
2.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述生長襯底為圖形化藍寶石襯底。
3.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述保護層材料為SiO2或SiNx或TiO2或前述的任意組合之一。
4.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述縱向溝道的深度大于橫向溝道的深度。
5.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述縱向溝道的深度為5~50微米。
6.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述橫向溝道的深度為5~20微米。
7.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟5）中采用磷酸和硫酸混合溶液濕法腐蝕縱向側壁和橫向側壁。
8.根據權利6所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述磷酸和硫酸混合溶液的溫度大于或者等于100℃。
9.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻采用氫氧化鉀或者氫氧化鈉或者氨水堿性溶液或者前述的任意組合之一。
10.根據權利1所述的一種氮化鎵基高亮度發光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻的時間是5~20分鐘。
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