[發明專利]隔離溝槽制造方法及發光裝置

無效

• 申請號: 201210323639.4
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN103515287A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 徐智魁;陳源澤;李學麟
• 申請（專利權）人: 奇力光電科技股份有限公司;佛山市奇明光電有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構的隔離溝槽制造方法，該半導體結構具有外延結構，設置于一外延基板上，該隔離溝槽的制造方法包括下列步驟：

形成一第一凹槽于該外延結構；

設置一第一硬涂層于該外延結構上表面及該第一凹槽的內表面，其中，位于該外延結構上表面的該第一硬涂層的厚度大于位于該第一凹槽底面的該第一硬涂層的厚度；以及

蝕刻位于該第一凹槽底面的該第一硬涂層，并于該第一凹槽的底面形成一第二凹槽。

2.如權利要求1所述的隔離溝槽制造方法，其中通過一黃光光刻與蝕刻制作工藝形成該第一凹槽。

3.如權利要求1所述的隔離溝槽制造方法，其中該蝕刻步驟為一感應耦合式等離子體干蝕刻。

4.如權利要求1所述的隔離溝槽制造方法，其中該外延結構具有第一半導體層、有源層及第二半導體層依序設置于該外延基板上，該第一凹槽露出該第一半導體層。

5.如權利要求1所述的隔離溝槽制造方法，其中該第一凹槽的寬度大于該第二凹槽的寬度。

6.如權利要求4所述的隔離溝槽制造方法，還包括：

設置一第二硬涂層于該外延結構上表面、部分該第一凹槽及該第二凹槽的內表面，其中，位于該外延結構上表面的該第二硬涂層的厚度大于位于該第二凹槽底面的該第二硬涂層的厚度；以及

蝕刻位于該第二凹槽底面的該第二硬涂層，并于該第二凹槽的底面形成一第三凹槽。

7.如權利要求6所述的隔離溝槽制造方法，其中該外延結構還具有未摻雜半導體層，設置于該第一半導體層與該外延基板之間，該第三凹槽露出該未摻雜半導體層或該外延基板。

8.如權利要求6所述的隔離溝槽制造方法，其中當該第三凹槽未露出該外延基板時，則重復權利要求6所述的步驟，直到露出該外延基板。

9.如權利要求6所述的隔離溝槽制造方法，還包括：

去除該第一硬涂層及該第二硬涂層。

10.一種發光裝置，包括：

多個發光二極管，具有多個外延結構且設置于一外延基板上，各發光二極管分別通過一連接導電層相互電性串聯；以及

多個交錯設置的隔離溝槽，定義該多個外延結構設置的區域，各該隔離溝槽分別具有第一凹槽及形成于該第一凹槽底面的一第二凹槽，且該第一凹槽與該第二凹槽的寬度差介于0.32μm至4μm之間。

11.如權利要求10所述的發光裝置，其中各該外延結構分別具有第一半導體層、有源層、第二半導體層及未摻雜半導體層依序設置于該外延基板上。

12.如權利要求11所述的發光裝置，其中各該發光二極管的該第一半導體層與相鄰的發光二極管的該第二半導體層通過該連接導電層電連接。

13.如權利要求10所述的發光裝置，其中該多個連接導電層分別覆蓋該多個隔離溝槽的其中之一。

14.如權利要求10所述的發光裝置，其中各該隔離溝槽內分別具有一絕緣材料，該絕緣材料包含氧化物或氮化物。

15.如權利要求10所述的發光裝置，其中各該隔離溝槽分別電性隔離兩相鄰發光二極管的該多個外延結構。

16.如權利要求11所述的發光裝置，其中各該發光二極管還分別具有電流阻障層，該電流阻障層設置于部分該第二半導體層之上，并覆蓋部分該第二半導體層及該多個隔離溝槽的其中之一。

17.如權利要求16所述的發光裝置，其中各該發光二極管還分別具有透明導電層，該透明導電層設置于部分該電流阻障層及部分該第二半導體層之上，并電連接該第二半導體層。

18.如權利要求16所述的發光裝置，其中該多個隔離溝槽分別自該外延結構的該第二半導體層延伸至該未摻雜半導體層或該外延基板，以分別露出該未摻雜半導體層或該外延基板。

19.如權利要求17所述的發光裝置，其中該連接導電層部分覆蓋該電流阻障層與部分該透明導電層。

20.如權利要求10所述的發光裝置，其中當該發光裝置的數量為多個時，兩相鄰發光裝置之間具有圖案化層，該圖案化層的俯視形狀包含圓形、或長條形、或斜條形、或其組合。