[發(fā)明專利]一種硅太陽能組件的電勢誘導衰減測試方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210323358.9
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN102866342A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 馬躍;崔成麗;夏建漢
• 申請（專利權）人: 歐貝黎新能源科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅太陽能組件的電勢誘導衰減測試方法，其特征在于它的測試組件是由鋁箔(1)、水膜(2)、玻璃(3)、鋁框(4)、太陽能電池板(5)、EVA(6)和TPT(7)組成，玻璃(3)、EVA(6)和TPT(7)依次疊放，且玻璃(3)、EVA(6)和TPT(7)的兩端設置有鋁框(4)，玻璃(3)與EVA(6)之間設置有太陽能電池板(5)，玻璃(3)上端的鋁框(4)之間設置有鋁箔(1)、水膜(2)，且鋁箔(1)設置在水膜(2)上；測試組件設置在恒溫恒濕箱(8)內。

2.根據權利要求1所述的一種硅太陽能組件的電勢誘導衰減測試方法，其特征在于它的測試方法為：(a)、準備3塊同種規(guī)格的組件，隨機抽取1塊作為控制件，另外2塊作為待測組件；

(b)、首先將組件進行一定強度的日光照曝曬預處理，預處理結束之后進行初測，包括組件的外觀、絕緣性能、電性能、EL測試和濕漏電流測試；

(c)、初測通過后，開始試驗，將待測組件輸出端的一端和鋁框與高壓電源的正負極相連，對待測組件施加-2000V～+2000V的偏壓，對邊框進行接地處理，通過電壓控制器保證所提供電壓恒定；

(d)、根據需求，施加負偏壓時鋁框接“+”極，組件輸出端接“-”極；

(e)、如需高溫高濕條件，通過恒溫恒濕箱調節(jié)控制，控制件置于同樣環(huán)境下，不施加偏壓；

(f)、試驗過程中，記錄漏電流數(shù)值，試驗結束之后，將組件取出恢復一段時間后進行絕緣性能、EL測試、濕漏電和電性能測試。

3.根據權利要求1所述的一種硅太陽能組件的電勢誘導衰減測試方法，其特征在于所述的測試方法主要采用的儀器是恒溫恒濕箱、絕緣耐壓測試儀、高壓電源、電壓表、電壓控制器，恒溫恒濕箱用來模擬一定溫度和濕度的試驗環(huán)境；絕緣耐壓測試儀用來測試組件的絕緣性能；高壓電源用來提供一定數(shù)值的電壓值-2000V～+2000V；濕漏電流是指電池組件與接地邊框之間形成的漏電流，通過組件與地面之間連接一個電阻測量電壓方法來測定；電壓控制器用來檢測所提供電壓的穩(wěn)定性，保證測試的準確性。