[發明專利]一種正方形硅納米孔陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201210322845.3
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN102856434A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 丁建寧;張福慶;袁寧一;程廣貴;王秀琴;凌智勇;張忠強
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種正方形硅納米孔陣列的制備方法，包括硅表面清洗的步驟、氫鈍化硅片表面的步驟、正方形硅納米孔陣列的制備步驟和多余銀納米顆粒去除的步驟，其特征在于：所述正方形硅納米孔陣列的制備步驟為：在室溫暗室環境下，將已經氫鈍化表面的硅片放入到三號腐蝕液中刻蝕10?~?60?min，處理好后用去離子水反復沖洗硅片的兩個表面；所述三號溶液為HF酸和AgNO₃的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸為2.4?~?5?mol，每升混合溶液中含有的AgNO₃為0.01?~?0.05?mol。

2.如權利要求1所述的一種正方形硅納米孔陣列的制備方法，其特征在于：所

述的硅表面清洗的步驟為：將硅片依次經過丙酮超聲振蕩清洗，酒精超聲振蕩清洗，然后放入一號溶液中煮沸30?~?60?min，用去離子水沖洗硅片表面，用高純氮氣吹干，所述一號溶液為濃H₂SO₄和H₂O₂按照體積比3:1組成的混合溶液。

3.如權利要求1所述的一種正方形硅納米孔陣列的制備方法，其特征在于：所述氫鈍化硅片表面的步驟為：將表面清洗后的硅片放入到質量百分濃度為5%的HF酸溶液中，室溫下處理1?~?3?min。

4.如權利要求1所述的一種正方形硅納米孔陣列的制備方法，其特征在于：所述的多余銀納米顆粒去除的步驟為：將制備好正方形硅納米孔陣列的硅片放入四號溶液中在20?~?60℃水浴處理30?~?60?min，之后取出硅片，并用去離子水反復清洗硅片表面，然后氮氣吹干；所述四號溶液為濃HNO₃和H₂O按照體積比1:1組成的混合溶液，所用濃HNO₃的質量百分濃度為65?~?68%。

5.如權利要求1所述的一種正方形硅納米孔陣列的制備方法，其特征在于：所述硅片為單面或雙面拋光的硅片，若制備單面正方形硅納米孔陣列需要將單面拋光的硅片拋光面向上放置，若制備雙面正方形硅納米孔陣列需要將雙面拋光的硅片在溶液中被墊起并固定。