[發明專利]提高閃存芯片寫入速度的方法、閃存存儲系統及其控制器

無效

• 申請號: 201210322819.0
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN102915211A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 張彤;鄒粵林
• 申請（專利權）人: 鄒粵林
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 李彥孚

1.一種提高閃存芯片寫入速度的方法，其中每一閃存芯片封裝體內設有閃存芯片和加熱芯片，且每一閃存芯片具有多個存儲單元，其特征在于，該方法包括步驟：

在編程/擦除閃存芯片的存儲單元之后檢測所述存儲單元的噪音容限；

當所述閃存芯片的存儲單元的噪音容限過差以致無法保證當前的數據寫入速度時，啟動所述閃存芯片封裝體內的加熱芯片以對所述閃存芯片進行修復。

2.如權利要求1所述的提高閃存芯片寫入速度的方法，其特征在于，所述檢測所述存儲單元的噪音容限步驟具體包括：

在編程/擦除閃存芯片的存儲單元之后通過檢測當前被讀出的存儲單元的數據中所含的錯誤比特數，當檢測出錯誤比特數接近或超過糾錯碼的糾錯容限時，判定噪音容限過差以致無法保證當前的數據寫入速度。

3.如權利要求1所述的提高閃存芯片寫入速度的方法，其特征在于，所述啟動閃存芯片封裝體內的加熱芯片以對閃存芯片進行修復具體包括：?

啟動所述閃存芯片封裝體內的加熱芯片，并根據預先設定的時間對所述加熱芯片保持加熱，以加速分解閃存芯片內由于編程/擦除操作而形成的電子陷阱，進而實現閃存芯片的存儲單元的修復。

4.如權利要求3所述的提高閃存芯片寫入速度的方法，其特征在于，在所述檢測存儲單元的噪音容限的步驟之前還包括：

實時記錄所有閃存芯片的存儲單元經歷過的編程/擦除次數；

根據所述記錄的編程/擦除次數、閃存芯片存儲單元的老化模型以及對閃存芯片的修復設定而設置當前的最大允許的數據寫入速度。

5.一種控制器，其特征在于，包括：

微處理單元；

閃存接口，耦接至所述微處理單元以及多個閃存芯片封裝體，其中每一閃存芯片封裝體內設有閃存芯片和加熱芯片，且每一閃存芯片具有多個存儲單元；

閃存管理模塊，耦接至所述微處理單元以通過微處理單元對所述多個閃存芯片封裝體執行閃存處理程序，包括：

噪音容限檢測單元，用于在編程/擦除閃存芯片的存儲單元之后檢測所述存儲單元的噪音容限；

加熱芯片控制單元，用于當所述閃存芯片的存儲單元的噪音容限過差以致無法保證當前的數據寫入速度時，啟動所述閃存芯片封裝體內的加熱芯片以對所述閃存芯片進行修復。

6.如權利要求5所述的控制器，其特征在于，噪音容限檢測單元通過檢測當前被讀出的數據中所含的錯誤比特數而檢測存儲單元的噪音容限，當檢測出錯誤比特數接近或超過糾錯碼的糾錯容限時，判定噪音容限過差以致無法保證當前的數據寫入速度。

7.如權利要求5所述的控制器，其特征在于，當所述加熱芯片控制單元啟動所述閃存芯片封裝體內的加熱芯片后，并根據預先設定的時間對所述加熱芯片保持加熱，以加速分解閃存芯片內由于編程/擦除操作而形成的電子陷阱，進而實現閃存芯片的存儲單元的修復。

8.?如權利要求5所述的控制器，其特征在于，所述閃存管理模塊還包括：

編程/擦除次數記錄單元，用于實時記錄所有閃存芯片的存儲單元經歷過的編程/擦除次數；

數據寫入速度設置單元，用于根據所述記錄的編程/擦除次數、閃存芯片存儲單元的老化模型以及對閃存芯片的修復設定而設置當前的最大允許的數據寫入速度。

9.?一種閃存存儲系統，其特征在于，包括：

多個閃存芯片封裝體，每一閃存芯片封裝體內設有閃存芯片和加熱芯片，且每一閃存芯片具有多個存儲單元；

控制器，耦接至所述多個閃存芯片封裝體以在編程/擦除閃存芯片的存儲單元之后檢測所述存儲單元的噪音容限，并且當所述閃存芯片的存儲單元的噪音容限過差以致無法保證當前的數據寫入速度時，啟動所述閃存芯片封裝體內的加熱芯片以對閃存芯片進行修復。

10.?如權利要求9所述的閃存存儲系統，其特征在于，所述控制器還實時記錄所有閃存芯片的存儲單元經歷過的編程/擦除次數；并且根據所述記錄的編程/擦除次數、閃存芯片存儲單元的老化模型以及對閃存芯片的修復設定而設置當前的最大允許的數據寫入速度。