[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210321795.7
• 申請(qǐng)日: 2012-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN103066075A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李普英;崔鐘完;李明范
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

溝槽中的絕緣隔離層，所述溝槽限定了在第一方向上延伸的多個(gè)有源區(qū)；以及

所述絕緣隔離層上方的多個(gè)第一多孔絕緣層，

其中所述多個(gè)第一多孔絕緣層中的每一個(gè)第一多孔絕緣層通過第一空氣隙與所述絕緣隔離層分隔開。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣隔離層的頂面所在的平面低于所述多個(gè)有源區(qū)的頂面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

內(nèi)襯絕緣層，其介于所述絕緣隔離層和所述溝槽的內(nèi)表面之間，

其中所述內(nèi)襯絕緣層朝向所述多個(gè)第一多孔絕緣層中的每一個(gè)第一多孔絕緣層的底面延伸。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一空氣隙被所述絕緣隔離層的頂面、所述內(nèi)襯絕緣層和所述多個(gè)第一多孔絕緣層中的一個(gè)第一多孔絕緣層的底面包圍。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一空氣隙的下部寬度比其上部寬度小。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

所述多個(gè)有源區(qū)上的隧道絕緣層；

所述隧道絕緣層上的電荷存儲(chǔ)層；

多個(gè)柵電極，其處于所述電荷存儲(chǔ)層上方并且沿著與所述第一方向相交的第二方向在所述多個(gè)第一多孔絕緣層上方延伸；以及

阻擋絕緣層，其介于所述電荷存儲(chǔ)層和所述多個(gè)柵電極之間。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個(gè)犧牲圖案，其介于所述多個(gè)第一多孔絕緣層和所述多個(gè)柵電極之間。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電荷存儲(chǔ)層是浮置柵電極，并且

所述多個(gè)第一多孔絕緣層中的每一個(gè)第一多孔絕緣層的上表面所在的平面介于所述浮置柵電極的底面和頂面之間。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電荷存儲(chǔ)層是電荷捕獲層，并且

所述電荷存儲(chǔ)層在所述多個(gè)第一多孔絕緣層上方延伸。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二多孔絕緣層，其在所述多個(gè)柵電極以及所述多個(gè)柵電極之間的間隔上方延伸，

其中所述第二多孔絕緣層在所述多個(gè)柵電極之間提供多個(gè)第二空氣隙，并且

所述多個(gè)第二空氣隙在所述第二方向上延伸。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述多個(gè)柵電極的每個(gè)側(cè)壁上的側(cè)壁隔板。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一空氣隙在所述第一方向上延伸并且在空間上與所述多個(gè)第二空氣隙連通。

13.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底上的柵絕緣層；

處于所述柵絕緣層上方并且在第一方向上延伸的多個(gè)柵電極，其中空氣隙介于所述多個(gè)柵電極中的相鄰的柵電極之間；以及

在所述多個(gè)柵電極上并且在相鄰的柵電極之間的空氣隙上方延伸的多孔絕緣層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述多個(gè)柵電極的每個(gè)側(cè)壁上的側(cè)壁隔板。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)柵電極包括多條串選擇線、多條接地選擇線、以及介于所述多條串選擇線中的一條串選擇線和所述多條接地選擇線中的一條接地選擇線之間的多條字線，并且

所述半導(dǎo)體器件還包括：

介于所述多條串選擇線中鄰近的串選擇線之間的絕緣隔板層；以及

位線，其通過延伸通過所述多孔絕緣層和所述絕緣隔板層的接觸連接至所述襯底。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述側(cè)壁隔板和所述絕緣隔板層由相同材料形成。

17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中在相鄰的柵電極之間的空氣隙上方延伸的多孔絕緣層所在的平面低于所述多個(gè)柵電極上的多孔絕緣層。

18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)柵電極中的每一個(gè)柵電極對(duì)應(yīng)于柵堆疊，

所述柵堆疊包括浮置柵電極、所述浮置柵電極上的控制柵電極、以及所述控制柵電極和所述浮置柵電極之間的阻擋絕緣層，并且

所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)于隧道絕緣層。