[發(fā)明專利]磁性材料及其制造方法及使用了磁性材料的感應器元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210320274.X | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102969109A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 原田耕一;末綱倫浩;高橋利英;末永誠一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01F1/047 | 分類號: | H01F1/047;H01F1/053;B22F1/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁性材料 及其 制造 方法 使用 感應器 元件 | ||
1.一種磁性材料,其特征在于,具備:
含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬、粒徑為1μm以上且平均粒徑為5μm以上且50μm以下的多個第1磁性粒子;
含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬、粒徑低于1μm且平均粒徑為5nm以上且50nm以下的多個第2磁性粒子;及
存在于所述第1磁性粒子及所述第2磁性粒子間的夾雜相。
2.根據權利要求1所述的磁性材料,其特征在于,所述夾雜相將所述第2磁性粒子的至少一部分被覆而形成復合粒子。
3.根據權利要求2所述的磁性材料,其特征在于,所述第2磁性粒子含有選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土類元素中的至少1種非磁性金屬,
所述夾雜相含有所述非磁性金屬的至少1種。
4.根據權利要求3所述的磁性材料,其特征在于,所述復合粒子是所述第2磁性粒子分別具有所述夾雜相的被覆層的核殼型粒子。
5.根據權利要求1所述的磁性材料,其特征在于,相對于所述磁性材料,所述第1磁性粒子的體積率為30體積%以上且80體積%以下。
6.根據權利要求2所述的磁性材料,其特征在于,相對于所述復合粒子,所述第2磁性粒子的體積率為40體積%以上且80體積%以下。
7.根據權利要求2所述的磁性材料,其特征在于,相對于所述第1磁性粒子,所述復合粒子的體積率為10體積%以上且30體積%以下。
8.根據權利要求1所述的磁性材料,其特征在于,相對于所述第1磁性粒子,所述第2磁性粒子的體積率為4體積%以上且30體積%以下。
9.根據權利要求2所述的磁性材料,其特征在于,所述復合粒子的所述夾雜相中的非磁性金屬/磁性金屬的原子比比所述第2磁性粒子中所含的非磁性金屬/磁性金屬的原子比大,
所述復合粒子的所述夾雜相中所含的氧的含量比所述第2磁性粒子的氧的含量大。
10.一種磁性材料,其特征在于,具有:含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬的多個磁性粒子、和存在于所述磁性粒子間的夾雜相,
所述多個磁性粒子的粒徑具備雙峰的粒徑分布,與所述粒徑分布的第1峰對應的粒徑為5μm以上且50μm以下,與所述粒徑分布的第2峰對應的粒徑為5nm以上且50nm以下。
11.根據權利要求10所述的磁性材料,其特征在于,在所述雙峰的粒徑分布中,在將具備與所述第1峰對應的分布的粒徑的粒子作為第1磁性粒子、將具備與所述第2峰對應的分布的粒徑的粒子作為第2磁性粒子的情況下,
所述夾雜相將所述第2磁性粒子的至少一部分被覆而形成復合粒子。
12.根據權利要求10所述的磁性材料,其特征在于,所述第2磁性粒子含有選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土類元素中的至少1種非磁性金屬,
所述夾雜相含有所述非磁性金屬的至少1種。
13.根據權利要求11所述的磁性材料,其特征在于,所述復合粒子是所述第2磁性粒子分別具有所述夾雜相的被覆層的核殼型粒子。
14.根據權利要求10所述的磁性材料,其特征在于,相對于所述磁性材料,所述第1磁性粒子的體積率為30體積%以上且80體積%以下。
15.一種磁性材料的制造方法,其特征在于,合成含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬、平均粒徑為5μm以上且50μm以下的多個第1磁性粒子,
合成含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬、平均粒徑為5nm以上且50nm以下的多個第2磁性粒子,
合成夾雜相,
將所述第1磁性粒子、所述第2磁性粒子、所述夾雜相混合成型。
16.根據權利要求15所述的磁性材料的制造方法,其特征在于,形成由所述第2磁性粒子和所述夾雜相構成的復合粒子,
將所述復合粒子和所述第1磁性粒子混合成型。
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