[發(fā)明專利]面結(jié)型場效應(yīng)管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210320108.X
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103681777B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 苗彬彬;金鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/808;H01L27/085
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：包含一個面結(jié)型場效應(yīng)管和一個集成在面結(jié)型場效應(yīng)管中的LDMOS：

在P型硅襯底上具有N型注入?yún)^(qū)，水平方向上，N型注入?yún)^(qū)劃分為源區(qū)漂移區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)漂移區(qū)；

所述面結(jié)型場效應(yīng)管的漏區(qū)，是漏區(qū)漂移區(qū)的一側(cè)的第一重?fù)诫sN型區(qū)，第一重?fù)诫sN型區(qū)上具有填充金屬的接觸孔與第一重?fù)诫sN型區(qū)相連，將面結(jié)型場效應(yīng)管的漏區(qū)引出，且第一重?fù)诫sN型區(qū)同時也作為集成的LDMOS的漏區(qū)；

所述面結(jié)型場效應(yīng)管的源區(qū)，是源區(qū)漂移區(qū)中第二重?fù)诫sN型區(qū)，所述源區(qū)漂移區(qū)位于漏區(qū)漂移區(qū)相對一側(cè)的N型注入?yún)^(qū)中，第二重?fù)诫sN型區(qū)上具有填充有金屬的接觸孔與第二重?fù)诫sN型區(qū)連接，將面結(jié)型場效應(yīng)管的源區(qū)引出；

所述面結(jié)型場效應(yīng)管的柵極，為重?fù)诫sP型區(qū)，位于溝道區(qū)上方的P型注入?yún)^(qū)中，所述溝道區(qū)位于源區(qū)漂移區(qū)與漏區(qū)漂移區(qū)之間，溝道區(qū)上方的P型注入?yún)^(qū)中具有相互抵靠接觸的重?fù)诫sP型區(qū)和第三重?fù)诫sN型區(qū)，所述重?fù)诫sP型區(qū)上具有填充金屬的接觸孔與之連接引出，形成面結(jié)型場效應(yīng)管的柵極，所述第三重?fù)诫sN型區(qū)上具有填充金屬的接觸孔與之接觸引出，重?fù)诫sP型區(qū)與第二重?fù)诫sN型區(qū)之間的硅表面具有源區(qū)場氧隔離，所述LDMOS的源區(qū)由重?fù)诫sP型區(qū)和第三重?fù)诫sN型區(qū)共同構(gòu)成，所述P型注入?yún)^(qū)作為LDMOS的溝道區(qū)；

所述第一重?fù)诫sN型區(qū)與第三重?fù)诫sN型區(qū)之間的硅表面具有漏區(qū)場氧隔離及一段氧化膜，漏區(qū)場氧下方的N型注入?yún)^(qū)中有一層P型摻雜區(qū)；

所述氧化膜是靠近第三重?fù)诫sN型區(qū)，氧化膜上及靠近氧化膜的漏區(qū)場氧上覆蓋一層多晶硅，多晶硅上具有填充金屬的接觸孔將多晶硅引出，形成所述LDMOS的柵極；

漏區(qū)場氧靠近第一重?fù)诫sN型區(qū)的區(qū)域上覆蓋一段多晶硅形成漏區(qū)場板，并通過填充金屬的接觸孔引出；

整個器件表面淀積層間介質(zhì)，所述的接觸孔全部穿通層間介質(zhì)將各區(qū)域引出；

在層間介質(zhì)表面淀積有金屬分別形成整個器件的各個電極，其中重?fù)诫sP型區(qū)、第三重?fù)诫sN型區(qū)以及靠近第三重?fù)诫sN型區(qū)的多晶硅通過接觸孔連接同一塊金屬，第一重?fù)诫sN型區(qū)的接觸孔與漏區(qū)場板的接觸孔連接到另一塊金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述的P型注入?yún)^(qū)是一次注入形成，或者是多次注入形成，以形成不同夾斷電壓的面結(jié)型場效應(yīng)管。

3.如權(quán)利要求1所述的面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：在俯視平面上，集成有LDMOS的面結(jié)型場效應(yīng)管的漏區(qū)和柵極是圓形結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述圓形結(jié)構(gòu)是漏區(qū)在內(nèi)側(cè)，柵極在外側(cè)。

5.如權(quán)利要求4所述的面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述圓形結(jié)構(gòu)的外側(cè)的柵極延伸有矩形的N型注入?yún)^(qū)，形成面結(jié)型場效應(yīng)管的源區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的面結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：改變所述各注入?yún)^(qū)為相反離子注入類型，即形成P型面結(jié)型場效應(yīng)管。