[發明專利]分布式布拉格反射與小面積金屬接觸復合三維電極

有效

• 申請號: 201210319019.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN102820398A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 康俊勇;高娜;楊旭;李金釵;李書平
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森;曾權

1.分布式布拉格反射與小面積金屬接觸復合三維電極，其特征在于設有分布式布拉格反射結構、小面積金屬歐姆接觸陣列和半導體基底；所述分布式布拉格反射結構設在半導體基底上，所述分布式布拉格反射結構為多層介質，所述多層介質由至少1層高折射率介質層和至少1層低折射率介質層交替組成的膜堆；所述小面積金屬歐姆接觸陣列與分布式布拉格反射結構復合并貫穿分布式布拉格反射結構再與半導體基底歐姆接觸并形成復合三維電極。

2.如權利要求1所述的分布式布拉格反射與小面積金屬接觸復合三維電極，其特征在于所述多層介質設有20個周期的GaN/AlN多層介質膜和10個周期的HfO₂/SiO₂多層介質膜結構。

3.如權利要求1所述的分布式布拉格反射與小面積金屬接觸復合三維電極，其特征在于所述小面積金屬歐姆接觸陣列通過沉積一層金屬薄膜彼此互連，金屬薄膜與電極陣列緊密接觸。

4.如權利要求3所述的分布式布拉格反射與小面積金屬接觸復合三維電極，其特征在于所述金屬薄膜采用Au膜或Ag膜。