[發明專利]半導體制造設備及其維護方法在審
| 申請號： | 201210312765.X | 申請日： | 2012-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN102800548A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 巴文林;施海銘;曹玖明;杜廷衛 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/305 | 分類號： | H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 制造 設備 及其 維護 方法 | ||
1.一種半導體制造設備，其特征在于包括：處理腔室、氣體源以及氣體線路；其中，所述氣體線路的第一端連接至所述氣體源，并且所述氣體線路的第二端連接至所述處理腔室，從而向處理腔室提供工藝氣體；
所述半導體制造設備還包括布置在所述氣體線路上的閥門；所述閥門用于關閉或者打開所述氣體線路。
2.根據權利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。
3.根據權利要求1或2所述的半導體制造設備，其特征在于，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。
4.根據權利要求1或2所述的半導體制造設備，其特征在于，所述工藝氣體為溴化氫。
5.一種半導體制造設備維護方法，其特征在于包括：
第一步驟：關閉閥門，從而關閉用于向處理腔室提供工藝氣體的氣體線路；
第二步驟：打開所述處理腔室，并進行所述處理腔室的維護；
第三步驟：在完成所述處理腔室的維護后關閉所述處理腔；
第四步驟：在關閉所述處理腔室之后打開所述閥門從而打開所述氣體線路3。
6.根據權利要求5所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。
7.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。
8.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述工藝氣體為溴化氫。
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