[發(fā)明專利]電阻率梯度分布的外延片及其生產(chǎn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210311196.7
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103633120A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚楨;鐘旻遠(yuǎn);林志鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 上海晶盟硅材料有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/20
• 代理公司: 上海脫穎律師事務(wù)所 31259
• 代理人: 李強(qiáng)

1.電阻率梯度分布的外延片，包括外延層，其特征在于，所述外延層電阻率梯度分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延層電阻率呈均勻變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，還包括襯底，所述外延層底部與襯底接觸；所述外延層電阻率自底部至上表面梯度分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延層底部電阻率大于上表面電阻率，所述外延層電阻率自底部至上表面均勻變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延層底部電阻率小于上表面電阻率，所述外延層電阻率自底部至上表面均勻變化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一權(quán)利要求所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述襯底為P型，所述外延層為P型或N型。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述P型襯底摻雜有硼；所述P型外延層摻雜有硼；所述N型外延層摻雜有砷、磷及銻中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一權(quán)利要求所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述襯底為N型，所述外延層為P型或N型。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述N型襯底摻雜有砷、磷及銻中的至少一種；所述P型外延層摻雜有硼；所述N型外?延層摻雜有砷、磷及銻中的至少一種。

10.前述任一權(quán)利要求所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，通過控制摻雜劑的摻雜量生產(chǎn)電阻率梯度分布的外延片。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，通過控制外延層沿厚度方向的摻雜劑的濃度梯度變化來生產(chǎn)電阻率梯度分布的外延片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，利用質(zhì)流控制器控制摻雜劑沿厚度方向的濃度梯度變化。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述摻雜劑通過質(zhì)流控制器的開口噴向襯底，所述摻雜劑與外延層材料共同沉積在所述襯底上；所述質(zhì)流控制器的開口面積可調(diào)；通過調(diào)整質(zhì)流控制器的開口面積調(diào)整摻雜劑的摻雜量。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述的摻雜量根據(jù)公式MFR=r×V×A控制，r表示摻雜劑氣體密度；V表示摻雜劑氣體速率；A表示質(zhì)流控制器開口面積。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電阻率梯度分布的外延片的生產(chǎn)方法，其特征在于，用Res₁表示外延層底部的電阻率，用Dop₁表示外延片底部的摻雜劑摻雜量；用Res₂表示外延層表面的電阻率，用Dop₂表示外延片表面的摻雜劑摻雜量；根據(jù)測試得出Res₁和Dop₁值，然后根據(jù)公式。