[發明專利]陽離子交換膜和使用了該陽離子交換膜的電解槽

有效

• 申請號: 201210311111.5
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103243346A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 杉本學;角佳典
• 申請（專利權）人: 旭化成化學株式會社
• 主分類號: C25B13/08
• 分類號: C25B13/08;C25B13/02;C25B9/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種陽離子交換膜，其為具有膜主體和增強芯材的陽離子交換膜，所述膜主體包含具有離子交換基的含氟類聚合物，所述增強芯材配置于該膜主體的內部，其中，

該陽離子交換膜在厚度方向的截面中為彎曲形狀，

在將該陽離子交換膜自身的膜厚中最厚部分的膜厚設為實質厚度L，將該陽離子交換膜的厚度方向的截面中的、所述彎曲形狀的彎曲部的最大寬度W與該彎曲部的陽離子交換膜的膜厚T之和設為表觀厚度H時，

所述表觀厚度H相對于所述陽離子交換膜的實質厚度L之比H/L為1.30～3。

2.如權利要求1所述的陽離子交換膜，其中，

在所述膜主體的內部，交叉地配置有兩根以上的所述增強芯材，

所述實質厚度L是指：在包含所述增強芯材交叉的位置的陽離子交換膜的截面中，露出的所述增強芯材的截面的、連結各個所述增強芯材的中心點的直線上的陽離子交換膜的膜厚。

3.如權利要求1所述的陽離子交換膜，其中，

在所述膜主體的內部還具有管狀的連通孔，

在所述膜主體的內部交叉地配置了所述連通孔和所述增強芯材，

所述實質厚度L是指：在包含所述連通孔與所述增強芯材交叉的位置的陽離子交換膜的截面中，露出的所述連通孔和所述增強芯材的截面的、連結所述連通孔與所述增強芯材的中心點的直線上的陽離子交換膜的膜厚。

4.如權利要求1所述的陽離子交換膜，其中，

在所述膜主體的內部還具有管狀的連通孔，

在所述膜主體的內部交叉地配置了兩根以上的所述連通孔，

所述實質厚度L是指：在包含所述連通孔交叉的位置的陽離子交換膜的截面中，露出的所述連通孔的截面的、連結各個所述連通孔的中心點的直線上的陽離子交換膜的膜厚。

5.如權利要求1～4中任一項所述的陽離子交換膜，其中，陽離子交換膜在厚度方向的截面中具有兩個以上的所述彎曲部，整體上為波形。

6.如權利要求5所述的陽離子交換膜，其中，所述波形的一周期的距離為在所述膜主體的內部在同一方向上配置的相鄰的增強芯材間的距離。

7.一種電解槽，其至少具備：

陽極、

陰極、和

配置于所述陽極與所述陰極之間的權利要求1～6中任一項所述的陽離子交換膜。