[發(fā)明專利]N型太陽能電池及其制造工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210309888.8 | 申請日: | 2012-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN102800757A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王英超;劉大偉;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請(專利權(quán))人: | 英利集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
| 地址: | 071051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 工藝 | ||
1.一種N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,包括以下步驟:
1)硅片清洗制絨;
2)在硅片的背場面需要印刷柵線的位置處印刷磷漿,所述背場面為摻雜磷雜質(zhì)的面;
3)磷、硼擴散;
4)化學清洗表面并激光刻邊,使上下兩面絕緣;
5)雙面鍍膜;
6)印刷正背面電極;
7)燒結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述步驟1)與所述步驟2)之間還包括步驟:
在硅片的背場面需要印刷柵線的位置處進行激光刻槽;
且所述步驟2)具體為在所述槽內(nèi)印刷磷漿。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述磷漿的印刷量為10g-30g。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述步驟3)具體為通過POCl3液態(tài)源擴散的方法進行磷擴散,通過BBr3液態(tài)源擴散的方法進行硼擴散。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述步驟5)具體為平板PECVD雙面鍍膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述步驟7)通過共燒工藝形成金屬接觸完成燒結(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的N型太陽能電池的制造工藝,其特征在于,所述步驟7)之后還包括步驟:
對電池片進行檢驗和分級。
8.一種N型太陽能電池,其特征在于,其由如權(quán)利要求1-7任意一項所述的N型太陽能電池的制造工藝制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





