[發明專利]激光退火提高鐵磁/反鐵磁雙層膜交換偏置場熱穩定性方法

無效

• 申請號: 201210309566.3
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102832336A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 周廣宏;章躍;潘旋;朱雨富;丁紅燕
• 申請（專利權）人: 淮陰工學院
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 淮安市科翔專利商標事務所 32110
• 代理人: 韓曉斌

1.激光快速退火提高鐵磁/反鐵磁雙層膜交換偏置場熱穩定性方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

（1）按襯底、緩沖層、磁性層、保護層的順序采用物理氣相沉積法（PVD），制作鐵磁/反鐵磁雙層膜；

（2）利用連續波激光或脈沖激光作為光源，對鐵磁/反鐵磁雙層膜進行激光快速退火；其中，在激光快速退火時，施加100~500Oe的平面誘導磁場；其中，激光快速退火的工藝參數為：輸出功率2～10W，掃描速度5～20cm/s。

2.?根據權利要求1所述的激光快速退火提高鐵磁/反鐵磁雙層膜交換偏置場熱穩定性方法，其特征在于：所述的鐵磁層為CoFe、NiFe或Co，反鐵磁層為IrMn或FeMn。

3.?根據權利要求1所述的激光快速退火提高鐵磁/反鐵磁雙層膜交換偏置場熱穩定性方法，其特征在于鐵磁/反鐵磁雙層膜的制作方法是：利用高真空磁控濺射設備在經過清洗的單晶硅襯底上沉積緩沖層、磁性層、保護層，得鐵磁/反鐵磁雙層膜；其中，緩沖層Ta厚度為5nm，鐵磁層厚度為5nm，反鐵磁層厚度為10～15nm，保護層Ta厚度為8nm；其中，鐵磁/反鐵磁雙層膜的生長條件為：背底真空5×10^-6Pa；濺射氣壓0.3Pa；濺射功率30W；氬氣流量20sccm；基片溫度室溫。